[实用新型]一种碳化硅静电感应器件

摘要

本实用新型公开了一种碳化硅静电感应器件，目的在于，降低器件开态电阻、提升功率特性，所采用的技术方案为包括自下而上依次设置的第二N型欧姆接触电极、N型SiC衬底、P型SiC缓冲层、P型SiC漂移层和P型SiC电流增强层，P型SiC电流增强层上刻蚀形成有若干个台阶，相邻台阶之间设有沟槽，台阶顶部设置有P型SiC欧姆接触层，P型SiC欧姆接触层上部设置有P型欧姆接触电极，沟槽内设置有N型SiC欧姆接触区，N型SiC欧姆接触区与台阶侧面、沟槽底部和P型SiC欧姆接触层均接触，位于沟槽底部的N型SiC欧姆接触区的上部设置有第一N型欧姆接触电极。

主权项

一种碳化硅静电感应器件，其特征在于，包括自下而上依次设置的第二N型欧姆接触电极(9)、N型SiC衬底(1)、P型SiC缓冲层(2)、P型SiC漂移层(3)和P型SiC电流增强层(4)，所述P型SiC电流增强层(4)上刻蚀形成有若干个台阶，相邻台阶之间设有沟槽，所述台阶顶部设置有P型SiC欧姆接触层(5)，P型SiC欧姆接触层(5)上部设置有P型欧姆接触电极(7)，所述沟槽内设置有N型SiC欧姆接触区(6)，N型SiC欧姆接触区(6)与台阶侧面、沟槽底部和P型SiC欧姆接触层(5)均接触，位于沟槽底部的N型SiC欧姆接触区(6)的上部设置有第一N型欧姆接触电极(8)，所述P型欧姆接触电极(7)的形状与P型SiC欧姆接触层(5)相同，所述P型欧姆接触电极(7)、第一N型欧姆接触电极(8)和第二N型欧姆接触电极(9)均包括依次沉积的Ni层和Pt层，所述P型SiC缓冲层(2)的厚度为0.5～2.0μm，所述P型SiC漂移层(3)的厚度为材料中空穴扩散长度的0.4～0.9倍，沟槽底部的P型电流增强层(4)的厚度为0.5～2μm，所述台阶高度为1.5～3.5μm，台阶宽度为的1.0～2.0倍，所述P型欧姆接触层(5)的厚度为0.2～0.5μm，所述P型欧姆接触电极(7)的Ni层厚度为200nm～400nm，Pt层厚度为50nm～200nm；第二N型欧姆接触电极(9)的Ni层厚度为200nm～400nm，Pt层的厚度为50nm～200nm；第一N型欧姆接触电极(8)的Ni层厚度为200nm～400nm，Pt层的厚度为50nm～200nm。