[实用新型]能提高耐压能力的分离栅MOSFET器件结构

摘要

本实用新型提出的能提高耐压能力的分离栅MOSFET器件结构，包括元胞区和终端保护区，所述元胞区位于器件的中心区，所述终端保护区环绕在所述元胞区的周围，所述元胞区由若干个MOSFET器件单元体并联而成，其特征在于：所述MOSFET器件单元体包括N型重掺杂衬底、N型第一外延层、N型第二外延层、栅极沟槽、导电多晶硅、厚氧化层、栅极导电多晶硅、栅氧化层、P型体区、N型源极区、绝缘介质层和源极金属；本实用新型的这种能提高耐压能力的分离栅MOSFET器件结构，通过增加栅极沟槽底部的厚氧化层厚度，能够有效提高器件的耐压能力，同时降低器件的输出电容，改善了器件的性能。

主权项

能提高耐压能力的分离栅MOSFET器件结构，包括元胞区和终端保护区，所述元胞区位于器件的中心区，所述终端保护区环绕在所述元胞区的周围，所述元胞区由若干个MOSFET器件单元体并联而成，其特征在于：所述MOSFET器件单元体包括N型重掺杂衬底（1）、N型第一外延层（2）、N型第二外延层（3）、栅极沟槽（4）、导电多晶硅（5）、厚氧化层（6）、栅极导电多晶硅（7）、栅氧化层（8）、P型体区（9）、N型源极区（10）、绝缘介质层（11）和源极金属（12），所述N型重掺杂衬底（1）位于器件单元体底部，所述N型第一外延层（2）位于N型重掺杂衬底（1）上且邻接，所述N型第二外延层（3）位于N型第一外延层（2）上且邻接，所述P型体区（9）有两个，且均设于N型第二外延层（3）内，所述栅极沟槽（4）设于N型第二外延层（3）内且与两个P型体区（9）左右邻接，深度伸入到N型第二外延层（3）下方的N型第一外延层（2）内，所述两个P型体区（9）内均设有N型源极区（10），所述N型源极区（10）位于栅极沟槽（4）左右两边且邻接，在所述栅极沟槽（4）和部分N型源极区（10）上方设有绝缘介质层（11），在所述P型体区（9）和部分N型源极区（10）上方设有源极接触孔，所述源极接触孔内填充有源极金属（12）；所述栅极沟槽（4）分为上下两部分，所述下部分栅极沟槽（4）的底部生长有厚氧化层（6），在所述厚氧化层（6）的沟槽内淀积有导电多晶硅（5），所述上部分栅极沟槽（4）的内壁生长有栅氧化层（8），在所述栅氧化层（8）之间淀积有栅极导电多晶硅（7）。