[发明专利]一种MEMS器件及制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201611199034.3 | 申请日： | 2016-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN108217577B | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 王强 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种MEMS器件及制备方法、电子装置。所述MEMS器件包括：基底；振动膜，位于所述基底的上方，其中，所述振动膜包括位于外侧的固定区域和位于中间的振动区域，所述固定区域中与所述振动区域相连接的部分呈锥形结构；背板，位于所述振动膜的上方；空腔，位于所述振动膜和所述背板之间。所述振动膜，不仅仅解决掉落测试(drop test)的振动膜(VP poly)破碎的问题。同时把振动膜的固定区域(VP anchor)安放在到基底上而不是氧化物(oxide)上面，解决BOE刻蚀的间隙底切问题(Gap under cut issue)，同时也增大了BOE的工艺窗口，降低了电化学效应影响(galvanic effect impact)。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 器件 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS器件，其特征在于，所述MEMS器件包括：基底；振动膜，位于所述基底的上方，其中，所述振动膜包括位于外侧的固定区域和位于中间的振动区域，所述固定区域中与所述振动区域相连接的部分呈锥形结构；背板，位于所述振动膜的上方；空腔，位于所述振动膜和所述背板之间。
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