[发明专利]一种MEMS器件及制备方法、电子装置

权利要求书

1.一种MEMS器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供基底，在所述基底上形成有绝缘层，其中，所述绝缘层边缘侧壁的梯度平缓；

在所述绝缘层和所述基底上形成振动膜，其中，所述振动膜包括位于外侧的固定区域和位于中间的振动区域，所述固定区域中与所述振动区域相连接的部分呈锥形结构；

在所述振动膜的上方形成背板，其中，所述振动膜和所述背板之间形成有空腔；

其中，形成所述振动膜的方法包括：

在所述基底边缘上和所述绝缘层上形成第一振动膜材料层，以覆盖所述绝缘层和所述基底；

图案化所述第一振动膜材料层，以去除所述绝缘层侧壁内侧的所述第一振动膜材料层；

在剩余的所述第一振动膜材料层和所述绝缘层上形成第二振动膜材料层，以覆盖所述第一振动膜材料层和所述绝缘层；

图案化所述第二振动膜材料层，以去除所述绝缘层侧壁内侧的所述第二振动膜材料层；

对所述第二振动膜材料层进行回流，以在所述绝缘层的侧壁上形成锥形结构；

在所述第二振动膜材料层和所述绝缘层上形成第三振动膜材料层，以形成具有锥形结构的所述固定区域。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述绝缘层的步骤包括：

在所述基底上形成绝缘材料层，以覆盖所述基底；

对所述绝缘材料层进行图案化，以去除所述基底外侧的所述绝缘材料层；

对图案化后的所述绝缘材料层进行回流，以得到侧壁的轮廓梯度平缓的所述绝缘层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述绝缘层之前所述方法还进一步包括在所述基底上形成若干凹槽的步骤。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还进一步包括：

在所述振动膜上形成牺牲层；

在所述牺牲层上形成背板，以覆盖所述牺牲层；

去除所述振动膜和所述背板之间的所述牺牲层，以在所述振动膜和所述背板之间形成空腔；

图案化所述基底的背面，以在所述基底中形成背腔并露出部分所述振动膜。

5.一种通过权利要求1至4之一所述方法制备得到的MEMS麦克风，其特征在于，所述MEMS麦克风包括：

基底；

振动膜，位于所述基底的上方，其中，所述振动膜包括位于外侧的固定区域和位于中间的振动区域，所述固定区域中与所述振动区域相连接的部分呈锥形结构，以防止所述振动膜的破碎；

背板，位于所述振动膜的上方；

空腔，位于所述振动膜和所述背板之间。

6.根据权利5所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述固定区域设置于所述基底上并且与所述基底直接接触。

7.根据权利5所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述固定区域中与所述基底直接接触的部位呈方形结构。

8.根据权利5所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述基底中形成有背腔，以露出部分所述振动膜。

9.一种电子装置，其特征在于，所述电子装置包括权利要求5至8之一所述的MEMS器件。