[发明专利]基于TiN/Cu/Ni栅电极的GaN基高电子迁移率晶体管及制作方法有效
| 申请号： | 201611150328.7 | 申请日： | 2016-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN106847895B | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 马晓华;郝跃;李晓彤;祝杰杰;杨凌;郑雪峰 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/47;H01L21/336;H01L29/778 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于TiN/Cu/Ni栅电极的GaN基高电子迁移率晶体管制作方法，主要解决现有同类器件成本高的问题。其制作过程为：在外延基片上制作源、漏电极和有源区电隔离，并生长SiN钝化层；在SiN钝化层上光刻并刻蚀栅槽区域；在栅槽和SiN钝化层上光刻栅电极区域，利用磁控溅射工艺依次淀积TiN肖特基接触层、Cu导电层和Ni保护层，剥离后形成TiN/Cu/Ni结构的栅电极；在栅电极和SiN钝化层上生长SiN保护层；在SiN保护层上光刻并刻蚀金属互联开孔区；在互联开孔区和SiN保护层上制作金属互联层，完成器件制作。本发明降低了栅极制作成本，提高了其可靠性，可用于制作高频大功率集成模块。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 tin cu ni 电极 gan 电子 迁移率 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于TiN/Cu/Ni栅电极的GaN基高电子迁移率晶体管，自下而上包括衬底(1)、AlN成核层(2)、GaN缓冲层(3)、AlN插入层(4)、AlGaN势垒层(5)、GaN帽层(6)，GaN帽层(6)中间设有栅电极(11)，栅电极(11)以外的区域设有钝化层(7)，SiN钝化层(7)与栅电极(11)之上设有SiN保护层(8)，GaN缓冲层(3)的两端设有源电极(9)和漏电极(10)，源电极(9)和漏电极(10)上设有金属互联层(12)，其特征在于：栅电极(11)，采用由TiN肖特基接触层(111)、Cu导电层(112)和Ni保护层(113)组成的叠层结构。
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