[发明专利]一种单晶TiN电极薄膜及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202010631630.4 申请日: 2020-07-03
公开(公告)号: CN111962153A 公开(公告)日: 2020-11-20
发明(设计)人: 陆旭兵;成佳运;樊贞 申请(专利权)人: 华南师范大学
主分类号: C30B29/38 分类号: C30B29/38;C30B23/08;C30B33/02
代理公司: 广州骏思知识产权代理有限公司 44425 代理人: 吴静芝
地址: 510006 广东省广州市番禺区外*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及一种单晶TiN电极薄膜及其制备方法,所述单晶TiN电极薄膜的制备方法包括如下步骤:S1:加热蓝宝石衬底,并在真空环境下、以0.6~1.0J/cm2的激光能量密度,在所述蓝宝石衬底上采用脉冲激光溅射TiN靶材;S2:待TiN薄膜在所述蓝宝石衬底上沉积完成,原位退火后,再冷却至室温,得到单晶TiN电极薄膜。本发明采用高能量激光束刻蚀TiN靶材,能够提高单晶TiN电极薄膜表面原子迁移率,有利于改善单晶TiN电极薄膜的生长质量,形成单一取向,且具备高导电性能的单晶TiN电极薄膜。本发明采用脉冲激光沉积技术制备单晶TiN电极薄膜,具有有无污染、工艺简单、可精确控制薄膜化学计量等优点。
搜索关键词: 一种 tin 电极 薄膜 及其 制备 方法
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