[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 201611100045.1 | 申请日： | 2016-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN108155148B | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 肖芳元 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法，包括：形成衬底和鳍部；形成第一隔离层以及第二隔离层；形成初始隔离结构，以使所述第一隔离层顶部表面和所述初始隔离结构之间形成预设高度差；回刻所述第一隔离层和所述初始隔离结构，分别形成第一隔离结构和第二隔离结构。本发明技术方案，在形成第一隔离层和第二隔离层之后，通过减薄所述第二隔离层形成初始隔离结构，使所述第一隔离层和所述初始隔离结构之间形成预设高度差。与现有技术中通过在介质层上形成牺牲层的做法相比，本发明技术方案简化了工艺步骤，降低了工艺难度，有利于提高形成半导体结构的良率和效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：形成衬底，所述衬底上具有多个分立的鳍部，所述多个鳍部呈阵列排布；形成位于鳍部延伸方向相邻鳍部之间的第一隔离层，以及位于垂直鳍部延伸方向相邻鳍部之间的第二隔离层；对所述第二隔离层进行减薄处理，形成初始隔离结构，以使所述第一隔离层顶部表面和所述初始隔离结构之间形成预设高度差；回刻所述第一隔离层和所述初始隔离结构，分别形成第一隔离结构和第二隔离结构，所述第二隔离结构露出所述鳍部的部分侧壁表面，所述第一隔离结构顶部表面高于所述第二隔离结构的顶部表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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