[发明专利]半导体结构的形成方法

说明书

一种半导体结构的形成方法，包括：形成衬底和鳍部；形成第一隔离层以及第二隔离层；形成初始隔离结构，以使所述第一隔离层顶部表面和所述初始隔离结构之间形成预设高度差；回刻所述第一隔离层和所述初始隔离结构，分别形成第一隔离结构和第二隔离结构。本发明技术方案，在形成第一隔离层和第二隔离层之后，通过减薄所述第二隔离层形成初始隔离结构，使所述第一隔离层和所述初始隔离结构之间形成预设高度差。与现有技术中通过在介质层上形成牺牲层的做法相比，本发明技术方案简化了工艺步骤，降低了工艺难度，有利于提高形成半导体结构的良率和效率。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别涉及一种半导体结构的形成方法。

背景技术

随着半导体制造技术的飞速发展，半导体器件朝着更高的元件密度，以及更高集成度的方向发展。晶体管作为基本半导体器件之一目前正被广泛应用。所以随着半导体器件密度和集成度的提高，平面晶体管的栅极尺寸也越来越短，传统平面晶体管对沟道电流的控制能力变弱，出现短沟道效应，引起漏电流增大，最终影响半导器件的电学性能。

为了克服晶体管的短沟道体效应，抑制漏电流，现有技术提出了鳍式场效应晶体管(FinFET)，鳍式场效应晶体管是一种常见的多面栅器件。鳍式场效应晶体管的结构包括：位于半导体衬底表面的鳍部和隔离层，所述隔离层覆盖部分所述鳍部的侧壁，且隔离层表面低于鳍部顶部；位于隔离层表面、以及鳍部的顶部和侧壁表面的栅极结构；位于所述栅极结构两侧的鳍部内的源区和漏区。

随着半导体器件尺寸的不断缩小，相邻鳍部之间的距离随之减小，造成形成半导体结构工艺难度增大，工艺流程复杂。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种半导体结构的形成方法，以简化工艺流程，降低工艺难度。

为解决上述问题，本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：

形成衬底，所述衬底上具有多个分立的鳍部，所述多个鳍部呈阵列排布；形成位于鳍部延伸方向相邻鳍部之间的第一隔离层，以及位于垂直鳍部延伸方向相邻鳍部之间的第二隔离层；对所述第二隔离层进行减薄处理，形成初始隔离结构，以使所述第一隔离层顶部表面和所述初始隔离结构之间形成预设高度差；回刻所述第一隔离层和所述初始隔离结构，分别形成第一隔离结构和第二隔离结构，所述第二隔离结构露出所述鳍部的部分侧壁表面，所述第一隔离结构顶部表面高于所述第二隔离结构的顶部表面。

可选的，对所述第二隔离层进行减薄处理的步骤包括：在所述第一隔离层上形成保护层，所述保护层露出所述第二隔离层；以所述保护层为掩膜，去除所述第二隔离层的部分材料形成初始隔离结构，以实现减薄；对所述第二隔离层进行减薄处理之后，回刻所述第一隔离层和所述初始隔离结构之前，所述形成方法还包括：去除所述保护层。

可选的，在所述第一隔离层上形成保护层的步骤中，所述保护层的材料为光刻胶。

可选的，在所述第一隔离层上形成所述保护层的步骤包括：采用涂覆工艺和光刻工艺在所述第一隔离层上形成保护层；去除所述保护层的步骤包括：采用灰化的方式去除所述保护层。

可选的，所述保护层的厚度在到范围内。

可选的，形成所述第一隔离层和所述第二隔离层的步骤中，所述第一隔离层和所述第二隔离层的材料相同。

可选的，形成所述第一隔离层和所述第二隔离层的步骤中，所述第一隔离层和所述第二隔离层的材料均为氧化硅。

可选的，对所述第二隔离层进行减薄处理的步骤中，所述预设高度差在到范围内；回刻所述第一隔离层和所述初始隔离结构之后，所述第一隔离结构顶部表面和所述第二隔离结构顶部表面的高度差在到范围内。