[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

形成衬底，所述衬底上具有多个分立的鳍部，所述多个鳍部呈阵列排布；所述鳍部上还具有掩膜层；

形成位于鳍部延伸方向相邻鳍部之间的第一隔离层，以及位于垂直鳍部延伸方向相邻鳍部之间的第二隔离层；所述第一隔离层和所述第二隔离层与所述掩膜层齐平；

对所述第二隔离层进行减薄处理，形成初始隔离结构，以使所述第一隔离层顶部表面和所述初始隔离结构之间形成预设高度差；

回刻所述第一隔离层和所述初始隔离结构，分别形成第一隔离结构和第二隔离结构，所述第二隔离结构露出所述鳍部的部分侧壁表面，所述第一隔离结构顶部表面高于所述第二隔离结构的顶部表面；

对所述第二隔离层进行减薄处理的过程中，对所述掩膜层进行减薄处理，使剩余的掩膜层具有预设厚度。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，对所述第二隔离层进行减薄处理的步骤包括：

在所述第一隔离层上形成保护层，所述保护层露出所述第二隔离层；

以所述保护层为掩膜，去除所述第二隔离层的部分材料形成初始隔离结构，以实现减薄；

对所述第二隔离层进行减薄处理之后，回刻所述第一隔离层和所述初始隔离结构之前，所述形成方法还包括：去除所述保护层。

3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，在所述第一隔离层上形成保护层的步骤中，所述保护层的材料为光刻胶。

4.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，在所述第一隔离层上形成所述保护层的步骤包括：采用涂覆工艺和光刻工艺在所述第一隔离层上形成保护层；

去除所述保护层的步骤包括：采用灰化的方式去除所述保护层。

5.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述保护层的厚度在到范围内。

6.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述第一隔离层和所述第二隔离层的步骤中，所述第一隔离层和所述第二隔离层的材料相同。

7.如权利要求1或6所述的形成方法，其特征在于，形成所述第一隔离层和所述第二隔离层的步骤中，所述第一隔离层和所述第二隔离层的材料均为氧化硅。

8.如权利要求1或6所述的形成方法，其特征在于，对所述第二隔离层进行减薄处理的步骤中，所述预设高度差在到范围内；

回刻所述第一隔离层和所述初始隔离结构之后，所述第一隔离结构顶部表面和所述第二隔离结构顶部表面的高度差在到范围内。

9.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成衬底的步骤包括：

提供基底；

在所述基底上形成所述掩膜层；

以所述掩膜层为掩膜，刻蚀所述基底形成所述衬底以及位于所述衬底上多个分立的所述鳍部。

10.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述第一隔离层和所述第二隔离层的步骤包括：

在所述鳍部之间填充介质材料，形成介质材料层；

对所述介质材料层进行平坦化处理至露出所述掩膜层，形成所述第一隔离层和所述第二隔离层。

11.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，对所述第二隔离层进行减薄处理步骤中，所述减薄处理对所述掩膜层的刻蚀速率与所述减薄处理对所述第二隔离层的刻蚀速率相等。

12.如权利要求11所述的形成方法，其特征在于，对所述第二隔离层进行减薄处理的步骤包括：采用干法刻蚀的方式进行所述减薄处理。

13.如权利要求11所述的形成方法，其特征在于，对所述掩膜层进行减薄处理之前，所述掩膜层的厚度大于或等于

对所述第二隔离层进行减薄处理的步骤中，所述预设高度差在到范围内；

对所述掩膜层进行减薄处理之后，剩余掩膜层的预设厚度在到范围内。