[发明专利]一种半导体器件及制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201611064785.4 | 申请日： | 2016-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN108122840B | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 肖芳元;王彦;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及制备方法、电子装置。所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有多列条状鳍片；图案化所述条状鳍片，以在所述条状鳍片中形成凹槽并在所述条状鳍片的延伸方向上将所述条状鳍片分割为相互间隔的鳍片结构；形成第一隔离材料层至所述鳍片结构的顶部以下，以露出所述鳍片结构的顶部；在露出的所述鳍片结构上形成第一栅极材料层，以填充所述凹槽和所述鳍片结构之间的间隙并覆盖所述鳍片结构；去除所述凹槽中的所述第一栅极材料层；沉积第二隔离材料层，以填充去除所述第一栅极材料层之后的所述凹槽。所述方法可以避免单扩散区切断横向厚度很小的问题，通过所述方法提高了所述半导体器件的性能和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有多列条状鳍片；图案化所述条状鳍片，以在所述条状鳍片中形成凹槽并在所述条状鳍片的延伸方向上将所述条状鳍片分割为相互间隔的鳍片结构；形成第一隔离材料层至所述鳍片结构的顶部以下，以露出所述鳍片结构的顶部；在露出的所述鳍片结构上形成第一栅极材料层，以填充所述凹槽和所述鳍片结构之间的间隙并覆盖所述鳍片结构；去除所述凹槽中的所述第一栅极材料层；沉积第二隔离材料层，以填充去除所述第一栅极材料层之后的所述凹槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
