[发明专利]具有增强的双极放大的功率半导体晶体管有效
| 申请号： | 201611042435.8 | 申请日： | 2016-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN107039513B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 罗曼·巴布尔斯科;约翰内斯·乔治·拉文;汉斯-约阿希姆·舒尔策;安东尼奥·韦莱伊 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/78;H01L29/08 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 唐京桥;陈炜 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 具有增强的双极放大的功率半导体晶体管，包括第一负载端子、第二负载端子和耦接至第一和第二负载端子的半导体本体，半导体本体包括:具有第一导电类型掺杂剂的漂移区；配置成传导正向负载电流的晶体管区段，其具有将第一负载端子耦接至漂移区第一侧的控制头；配置成传导反向负载电流的二极管区段，其具有将第二负载端子耦接至漂移区第二侧的二极管端口，二极管端口包括：第一发射极，其具有第一导电类型掺杂剂并被配置成将多数电荷载流子注入漂移区，并电连接至第二负载端子；第二发射极，其具有第二导电类型掺杂剂并配置成将少数电荷载流子注入漂移区，第一发射极与第二发射极接触，第一与第二发射极间的过渡形成的pn结呈现小于10V的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 增强 放大 功率 半导体 晶体管 | ||
【主权项】：
一种功率半导体晶体管(1)，其包括第一负载端子(11)、第二负载端子(12)以及耦接至所述第一负载端子(11)和所述第二负载端子(12)的半导体本体(10)，其中，所述半导体本体(10)包括：‑漂移区(100)，其具有第一导电类型的掺杂剂；‑晶体管区段(1‑1)，其被配置成传导正向负载电流，所述晶体管区段(1‑1)具有将所述第一负载端子(11)耦接至所述漂移区(100)的第一侧(100‑1)的控制头(1‑11)；以及‑二极管区段(1‑2)，其被配置成传导反向负载电流，其中，所述二极管区段(1‑2)具有将所述第二负载端子(12)耦接至所述漂移区(100)的第二侧(100‑2)的二极管端口(1‑22)，其中，所述二极管端口(1‑22)包括：‑第一发射极(101)，其具有所述第一导电类型的掺杂剂并且被配置成将多数电荷载流子注入到所述漂移区(100)中，所述第一发射极(101)被电连接至所述第二负载端子(12)；以及‑第二发射极(102)，其具有第二导电类型的掺杂剂并且被配置成将少数电荷载流子注入到所述漂移区(100)中，其中，所述第一发射极(101)被布置成与所述第二发射极(102)接触，并且其中，通过所述第一发射极(101)与所述第二发射极(102)之间的过渡形成的pn结(105)呈现小于10V的击穿电压，其中，所述第一发射极(101)和所述第二发射极(102)中的每一个呈现至少5e18cm‑3的掺杂剂浓度。
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