[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。该方法包括提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有若干间隔的纳米线；在半导体衬底上形成功函数材料层，其中功函数材料层填充相邻纳米线之间的间隙，且功函数材料层的顶面低于所述纳米线的顶面；在所述功函数材料层上形成分别环绕每个所述纳米线的侧壁的掩膜层，环绕所述第一PMOS区内的所述纳米线的掩膜层具有第一厚度，环绕所述第二PMOS区内的所述纳米线的掩膜层具有第二厚度，所述第一厚度小于所述第二厚度；以所述掩膜层为掩膜，蚀刻所述功函数材料层，以形成环绕每个所述纳米线的功函数层；去除所述掩膜层；在所述半导体衬底上形成金属栅电极层。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一PMOS区和第二PMOS区，在所述半导体衬底上形成有若干间隔的纳米线，每个所述纳米线垂直于所述半导体衬底的表面；在所述半导体衬底上形成功函数材料层，其中所述功函数材料层填充相邻所述纳米线之间的间隙，且所述功函数材料层的顶面低于所述纳米线的顶面；在所述功函数材料层上形成分别环绕每个所述纳米线的侧壁的掩膜层，其中，环绕所述第一PMOS区内的所述纳米线的掩膜层具有第一厚度，环绕所述第二PMOS区内的所述纳米线的掩膜层具有第二厚度，所述第一厚度小于所述第二厚度；以所述掩膜层为掩膜，蚀刻所述功函数材料层，以形成环绕每个所述纳米线的功函数层；去除所述掩膜层；在所述半导体衬底上形成金属栅电极层，所述金属栅电极层填充相邻所述纳米线之间的间隙，且其顶面与所述功函数层的顶面齐平。