[发明专利]一种肖特基半导体装置

摘要

本发明在肖特基半导体装置内设置半导体放电管，以此将过压保护装置与肖特基结并联，改善肖特基结反向可靠性，同时，通过半导体放电管在反向偏压下的电场分布，将峰值电场引入肖特基结漂移区中，降低肖特基结的导通电阻；本发明设置半导体放电管在器件正向偏压下为截止状态，不在正向导通时引入少子，因此本发明的半导体装置保持肖特基结快速开关特性。

主权项

1.一种肖特基半导体装置，其特征在于：包括：衬底层，为第一导电半导体材料；漂移层，为第一导电半导体材料，位于衬底层之上；多个沟槽，位于漂移层和衬底中，沟槽侧壁设置绝缘层，沟槽底部没有绝缘层；导电材料，位于沟槽底部，为金属，或者为高浓度杂质掺杂的多晶硅或无定形硅，此时导电材料下部为第一导电杂质掺杂，导电材料上部为第二导电杂质掺杂；沟槽下部半导体材料，位于沟槽内下部，导电材料之上，上下依次为第一导电半导体材料和第二导电半导体材料；沟槽上部半导体材料，位于沟槽内上部，上下依次为第一导电半导体材料和第二导电半导体材料；肖特基势垒结，位于沟槽之间漂移层表面。