[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置有效
| 申请号： | 201610919797.4 | 申请日： | 2016-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN107978564B | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上的PMOS区和NMOS区内分别形成有第一鳍片结构和第二鳍片结构；形成横跨第一鳍片结构和第二鳍片结构的高k介电层；在高k介电层上、形成横跨第一鳍片结构和所述第二鳍片结构的第一保护层；在第一保护层上依次形成P型功函数层和第二保护层；形成图案化的掩膜层覆盖PMOS区，暴露NMOS区内的第二保护层；去除NMOS区内的第二保护层和P型功函数层，停止于第一保护层上；去除图案化的掩膜层；去除暴露的第一保护层和第二保护层。本发明的方法使得PMOS和NMOS的功函数的波动变小，提高了器件的失配性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括PMOS区和NMOS区，在所述半导体衬底上的所述PMOS区和所述NMOS区内分别形成有第一鳍片结构和第二鳍片结构；形成横跨所述第一鳍片结构和所述第二鳍片结构的高k介电层；在所述高k介电层上、形成横跨所述第一鳍片结构和所述第二鳍片结构的第一保护层；在所述第一保护层上依次形成P型功函数层和第二保护层；形成图案化的掩膜层覆盖所述PMOS区，暴露所述NMOS区内的所述第二保护层；以所述图案化的掩膜层为掩膜，去除所述NMOS区内的所述第二保护层和所述P型功函数层，停止于所述第一保护层上；去除所述图案化的掩膜层；去除暴露的所述第一保护层和所述第二保护层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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