[发明专利]一种半导体器件及制备方法、电子装置

摘要

本发明涉及一种半导体器件及制备方法、电子装置。所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有若干列条状鳍片以及覆盖所述鳍片的第一隔离材料层；蚀刻所述第一隔离材料层至所述条状鳍片，以在所述条状鳍片上方形成第一凹槽；在所述第一凹槽的侧壁上和底部依次形成第一衬垫层和间隙壁；蚀刻所述鳍片，以在所述条状鳍片中形成第二凹槽，所述第二凹槽将所述条状鳍片分割为相互间隔的鳍片结构；去除所述间隙壁；在所述第一凹槽和所述第二凹槽的表面形成第二衬垫层，以作为横向蚀刻停止层；形成第二隔离材料层；去除所述掩膜层，以露出所述第一隔离材料层；回蚀刻所述第一隔离材料层至所述鳍片结构以下；形成栅极结构。

主权项

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：/n提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有若干列条状鳍片以及覆盖所述鳍片的第一隔离材料层；/n在所述第一隔离材料层上形成图案化的掩膜层，并以所述掩膜层为掩膜蚀刻所述第一隔离材料层至所述条状鳍片，以在所述条状鳍片上方形成第一凹槽；/n在所述第一凹槽的侧壁上和底部依次形成第一衬垫层和间隙壁；/n以所述第一凹槽的侧壁上的所述间隙壁为掩膜蚀刻所述鳍片，以在所述条状鳍片中形成第二凹槽，所述第二凹槽将所述条状鳍片分割为相互间隔的鳍片结构；/n去除所述间隙壁；/n在所述第一凹槽和所述第二凹槽的表面形成第二衬垫层，以作为横向蚀刻停止层；/n形成第二隔离材料层，以填充所述第一凹槽和所述第二凹槽；/n去除所述掩膜层，以露出所述第一隔离材料层；/n回蚀刻所述第一隔离材料层至所述鳍片结构以下，以形成目标高度的鳍片结构；/n在所述鳍片结构上以及所述第二隔离材料层上形成栅极结构。/n