[发明专利]鳍式场效应管及其形成方法有效
| 申请号： | 201610908755.0 | 申请日： | 2016-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN107958935B | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种鳍式场效应管及其形成方法，形成方法包括：提供基底以及凸出于基底上的鳍部，在垂直于基底表面且沿所述鳍部底部指向顶部的方向上，所述鳍部在沿垂直于所述鳍部延伸方向上的宽度尺寸逐渐减小；在基底上形成横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖鳍部的部分顶部和侧壁；刻蚀位于栅极结构两侧的部分厚度的鳍部，在栅极结构两侧的鳍部内形成凹槽，且在沿鳍部延伸方向上所述凹槽底部宽度尺寸小于凹槽顶部宽度尺寸；形成填充满凹槽的源漏外延掺杂层，所述源漏外延掺杂层内掺杂有P型离子或者N型离子。本发明克服了鳍部侧壁表面倾斜造成的栅极结构对源极区以及漏极区底部对应的沟道区控制能力差的问题，改善了形成的鳍式场效应管的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，包括：提供基底以及凸出于所述基底上的鳍部，在垂直于所述基底表面且沿所述鳍部底部指向顶部的方向上，所述鳍部在沿垂直于所述鳍部延伸方向上的宽度尺寸逐渐减小；在所述基底上形成横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖鳍部的部分顶部和侧壁；刻蚀位于所述栅极结构两侧的部分厚度的鳍部，在所述栅极结构两侧的鳍部内形成凹槽，且在沿所述鳍部延伸方向上所述凹槽底部宽度尺寸小于凹槽顶部宽度尺寸；形成填充满所述凹槽的源漏外延掺杂层，所述源漏外延掺杂层内掺杂有P型离子或者N型离子。
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