[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201610862453.4 | 申请日： | 2016-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN106992206B | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 森克·哈贝尼希特;斯特芬·霍兰 | 申请（专利权）人： | 安世有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/732;H01L29/78;H01L21/331;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 麦善勇;张天舒 |
| 地址： | 荷兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置(300)，该半导体装置(300)包括：掺杂的半导体衬底(302)；安置在该衬底的顶部上的外延层(304)，该外延层具有浓度比该衬底低的掺杂物；安置在该外延层的顶部上的切换区；以及安置在该外延层的顶部上的接触扩散(350)，该接触扩散(350)具有浓度比该外延层高的掺杂物；其中该外延层在该接触扩散与该衬底之间形成阻挡层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置包括：掺杂的半导体衬底；安置在所述衬底的顶部上的外延层，所述外延层具有浓度比所述衬底低的掺杂物；安置在所述外延层的顶部上的切换区；以及安置在所述外延层的顶部上的接触扩散，所述接触扩散具有浓度比所述外延层高的掺杂物；其中所述外延层在所述接触扩散与所述衬底之间形成阻挡层。
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