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[发明专利]一种防水雾透明导电玻璃及其制备方法和应用-CN202310820427.5在审
发明人：邱万奇;朱一方;焦东玲;钟喜春;刘仲武 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种防水雾透明导电玻璃及其制备方法和应用。本发明的防水雾透明导电玻璃的组成包括疏水透明导电玻璃、温控电源、温度传感器和电极，疏水透明导电玻璃的组成包括依次设置的透明耐热玻璃、锑掺杂二氧化锡薄膜和疏水薄膜，锑掺杂二氧化锡薄膜包含若干锑掺杂二氧化锡柱状晶，锑掺杂二氧化锡柱状晶呈阵列状排布在透明耐热玻璃表面，疏水薄膜覆盖在锑掺杂二氧化锡柱状晶表面，温控电源与温度传感器和电极进行电连接，温度传感器和电极均设置在锑掺杂二氧化锡薄膜表面。本发明的防水雾透明导电玻璃具有升温速度快、温控精准、抗水雾和粉尘吸附效果好、生产成本低等优点，用作衣物烘干机观察窗玻璃可以确保在整个烘干过程中观察窗透明。
一种水雾透明导电玻璃及其制备方法应用

[发明专利]一种基于高温SPS粉末自粘结技术的La-Fe-Si基磁制冷块体材料及其制备方法-CN202210316911.X有效
发明人：钟喜春;吴雨财;刘仲武;余红雅;邱万奇;焦东玲 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： B22F3/105 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于高温SPS粉末自粘结技术的La‑Fe‑Si基磁制冷块体材料及其制备方法，将封管热处理成相良好的La‑Fe‑Si基磁制冷材料粉末在高温放电等离子烧结过程中粉末自粘结成型，制备得磁制冷块体材料；所述烧结温度为900℃～1000℃，压力为10～100MPa；所述La‑Fe‑Si基磁制冷材料为LaFe11.8Si1.2化合物，其粒径≤300μm。本发明较高的烧结温度使得粉末表面合金熔融。熔融合金填充颗粒之间空隙，降低了材料孔隙度，从而提高了块体材料的致密度，且颗粒之间形成可靠的冶金结合，解决了La‑Fe‑Si材料脆性大，难成型的问题。同时，实现在不添加烧结助剂的前提下烧结成型La‑Fe‑Si基块体材料，最大程度减轻烧结助剂引起的磁稀释效应，制得的块体材料具有良好的磁热效应。
一种基于高温 sps 粉末粘结技术 la fe si 制冷块体材料及其制备方法

[发明专利]一种Al50-CN202310404349.0在审
发明人：邱万奇;刘文杰;焦东玲;钟喜春;刘仲武 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： C23C14/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种Al50Cr50/富铝刚玉结构Al‑Cr‑O双层薄膜及其制备方法和应用，该薄膜包括Al50Cr50薄膜层和富铝刚玉结构Al‑Cr‑O薄膜层；所述富铝刚玉结构Al‑Cr‑O薄膜层中包括α‑Cr2O3相、α‑Al2O3相和α‑(Al,Cr)2O3相，不含亚稳相Al2O3；所述富铝刚玉结构Al‑Cr‑O薄膜层中铝的含量为32.5wt％～35.1wt％。Al50Cr50薄膜层、基材和Al‑Cr‑O薄膜层三者之间均有较高的结合强度和粘结作用。Al50Cr50薄膜层在Al‑Cr‑O薄膜层不断被离子刻蚀和技工冲击损耗时，具有低温氧化成Al‑Cr‑O薄膜层的作用。
一种 al base sub 50

[发明专利]一种奥氏体钢的强化方法及其应用-CN202310405164.1在审
发明人：邱万奇;童洋;焦东玲;钟喜春;刘仲武 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： C21D1/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种奥氏体钢的强化方法及其应用，属于金属加工技术领域。本发明提供的强化方法包括以下步骤：将奥氏体钢同时进行固溶和渗氮处理，然后进行时效处理，得到强化后的奥氏体钢。本发明的强化方法通过对奥氏体钢同时进行固溶和渗氮处理，可以有效改善奥氏体钢的表层结构，得到的氮化层能够有效提高奥氏体钢的表面硬度，提高耐磨性，且本发明提供的强化方法无需进行镀铬处理，即可得到表面硬度高、耐磨性好的奥氏体钢，且工艺流程简单，产品合格率高，有利于节约成本。
一种奥氏体强化方法及其应用

[发明专利]一种高强度La-Fe-Si基磁制冷复合材料及其制备方法-CN202310281434.2在审
发明人：钟喜春;李国鹏;黄譞;刘仲武;余红雅;邱万奇;焦东玲 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C22C33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高强度La‑Fe‑Si基磁制冷复合材料及其制备方法，其主相由富稀土型La‑Fe‑Si基化合物颗粒和粘接剂Fe粉均匀混合预成型，将预成型后的La‑Fe‑Si基复合块体材料经700‑900℃高温热变形成型后，于保护气氛下高温热处理，热处理温度为1000‑1200℃，时间为0.5‑8h，制备得到La‑Fe‑Si基磁制冷复合材料。本发明制备的La‑Fe‑Si基磁制冷材料具有高含量的1:13相，磁热性能较优异。基于粉末冶金与热处理将富稀土型La‑Fe‑Si基合金中的第二相富稀土相调整为具有良好塑韧性的α‑Fe相，较为均匀分布的α‑Fe相显著提升块体复合材料的力学性能。
一种强度 la fe si 制冷复合材料及其制备方法

[发明专利]一种基于SPS技术的La-Fe-Si基磁制冷复合材料及其制备方法-CN202310220765.5在审
发明人：钟喜春;郝中原;黄譞;刘仲武;余红雅;邱万奇;焦东玲 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： B22F1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于SPS技术的La‑Fe‑Si基磁制冷复合材料及其制备方法，将La‑Fe‑Si基磁制冷材料粉末和微米级Fe粉混合均匀，利用高温放电等离子烧结成型，制备得到磁制冷块体材料；所述烧结温度为1100‑1300K，压力为10‑100MPa；所述La‑Fe‑Si基磁制冷材料为(La1‑xCex)(FeyCo1‑y)11‑zSiz化合物，其中0≤x≤0.4，0≤y≤2，1.0≤z≤1.6，其粒径≤100μm，所述微米级Fe粉粒径为3‑5μm。本发明有效解决了La‑Fe‑Si材料难成型的问题。同时，极大地简化了工艺流程。通过上述方法制得的复合材料具有良好的磁热效应同时兼具极佳的力学性能。
一种基于 sps 技术 la fe si 制冷复合材料及其制备方法

[发明专利]一种制备单相Fe2-CN202210382318.5有效
发明人：邱万奇;李航;焦东玲;钟喜春;刘仲武 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-04-13 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： C23C8/70 文献下载
摘要：本发明提供一种制备单相Fe2B渗层的方法及其应用，该方法将传统电场辅助渗硼分为初始活化渗硼阶段和加厚渗硼阶段，并用不同工艺控制渗硼组织，渗硼层可在十多微米至近百微米的很宽范围内保持Fe2B单相渗层，且表层孔洞疏松少，最高硬度在渗硼层的最外表面，无需后续磨削加工处理，适合于有棱角部位的钢铁工件渗硼。
一种制备单相 fe base sub

[发明专利]一种镍基高温合金粉末中非金属夹杂物的定量表征方法-CN201710896251.6有效
发明人：钟伟杰;焦东玲;刘仲武;许文勇;李周;张国庆 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2017-09-28 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： G01N23/2206 文献下载
摘要：本发明属于金属物理化学技术领域，公开了一种镍基高温合金粉末中非金属夹杂物的定量表征方法。取镍基高温合金粉末，采用电子束重熔的方法，制成非金属夹杂物聚集于上表面的金属锭。然后割取含非金属夹杂物部分，进行酸溶处理。通过分步酸溶不同的元素及化合物，并进行抽滤分离，最终将粉末中的非金属夹杂物抽滤到混合纤维素微孔滤膜上，并采用扫描电镜对混合纤维素微孔滤膜上的非金属夹杂物进行形貌观察、成分确认及夹杂物数量统计，实现高温合金粉末中非金属夹杂物的定量提取。本发明的方法具有使用设备易获取、操作简单、耗时时间短、提取率高、分离尺寸不受约束的优点。
一种高温合金粉末中非金属夹杂定量表征方法

[发明专利]一种硅基表面沉积α-氧化铝介质膜的方法-CN202210394587.3在审
发明人：邱万奇;帅忠源;焦东玲;钟喜春;刘仲武 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基表面沉积α‑氧化铝介质膜的方法。本发明的硅基表面沉积α‑氧化铝介质膜的方法包括以下步骤：先将α‑Al2O3籽晶均匀附着在单晶硅片表面，再进行磁控溅射沉积α‑Al2O3薄膜。本发明通过在单晶硅片表面均匀附着α‑Al2O3籽晶，可以将反应溅射沉积单相α‑Al2O3膜的沉积温度降低至600℃以下，沉积得到的单相α‑Al2O3膜均匀致密，可以替代SOI结构中的热氧化SiO2层，进而可以提高集成电路板的击穿电压。
一种表面沉积氧化铝介质方法

[发明专利]一种反应磁控溅射系统中的紫外辅助沉积装置及沉积方法-CN202210385023.3在审
发明人：邱万奇;徐聪;焦东玲;钟喜春;刘仲武 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-04-13 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种反应磁控溅射系统中的紫外辅助沉积装置及沉积方法。所述装置包括包括底板、隔热支架、紫外灯源和反光罩，隔热支架固定在底板上，紫外灯源固定在反光罩内，反光罩转动设置在隔热支架上，且反光罩能沿着隔热支架上下移动以调节紫外灯源与底板之间的距离，其中，紫外灯源朝向样品台设置，用于向样品台发射185‑254nm的紫外光线。紫外灯源可随反光罩的转动而调整辐射角，确保辐照深紫外光能投射到样品的生长面。在传统反应溅射沉积薄膜系统中增加紫外光线对沉积生长面的辐照，促进生长面上的活性分子或分子团簇的表面迁移，从而降低沉积温度。用该装置辅助反应溅射沉积Al‑Cr‑O薄膜，可在550～650℃的低温沉积出Al含量达35.6wt％～41.9wt％的单相刚玉结构α‑(Al,Cr)2O3薄膜。
一种反应磁控溅射系统中的紫外辅助沉积装置方法

[发明专利]一种FeNi合金层、电镀液及制备方法和应用-CN202110470245.0有效
发明人：邱万奇;罗文斌;焦东玲;钟喜春;刘仲武 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： C22C38/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种FeNi合金层、电镀液及制备方法和应用。所述FeNi合金层包括Fe和Ni，所述Fe的含量在78～91wt％，Ni的含量在9～22wt％。所述电镀液包括镍盐、铁盐、缓冲剂、活化剂、稳定剂、整平剂和润湿剂。通过将金属基底置于上述电镀液中电镀得到所述FeNi合金层。本发明在钢铁工件上电镀FeNi合金层来替代传统电镀Ni层，不用高温扩散退火热处理就能直接渗硼，能有效抑制渗硼层中的FeB，NiB，Ni3B等多种脆性相，在后续淬火热处理时，显著降低渗硼层中的内应力，防止渗硼层开裂。
一种 feni 合金电镀制备方法应用

[发明专利]微米级镍基高温合金粉末透射电镜薄膜样品的制备方法-CN201710173207.2有效
发明人： 焦东玲;钟伟杰;刘仲武;许文勇;李周;张国庆 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2017-03-22 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明属于合金材料的制备与表征技术领域，公开了一种微米级镍基高温合金粉末透射电镜薄膜样品的制备方法。所述方法为：将镍基合金粉末加入到电镀液中搅拌得到悬浮液；然后将将阴极镍片和阳极镍片置于悬浮液中，在阴极镍片上获得均匀的镍基合金粉末；接通电源进行电镀，镀镍层对镍基合金粉末进行包埋，然后将其机械减薄后冲成直径为3mm的圆片，再磨成在厚度方向呈楔形的样品；贴于开口铜环的开口处，楔形的薄端靠近铜环的开口中心，然后将贴有样品的开口铜环置于离子减薄仪中进行离子减薄，得到可进行透射电镜观察的薄膜样品区域。本发明的方法具有具有耗时时间短、镀层质量好，镍基高温合金粉末包埋效果好的优点。
微米级镍基高温合金粉末透射薄膜样品制备方法

[发明专利]一种金基镶嵌结构α-氧化铝薄膜及其制备方法与应用-CN202110760816.4在审
发明人：邱万奇;李修贤;焦东玲;钟喜春;刘仲武 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2021-07-06 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种金基镶嵌结构α‑氧化铝薄膜及其制备方法与应用。本发明的金基镶嵌结构α‑氧化铝薄膜由金箔和α‑氧化铝薄膜层叠而成，且α‑氧化铝薄膜部分嵌入金箔。本发明的金基镶嵌结构α‑氧化铝薄膜中的金箔和α‑氧化铝薄膜之间的结合强度高，且α‑氧化铝薄膜的沉积温度低、表面粗糙度低，对CO2激光的波导反射损失小，能够长时间承受CO2激光器射频谐振腔等离子体的刻蚀和激光冲击，将其粘贴在铜基体上制备得到的铜电极适合用于功率高、寿命长、光束质量高、热稳定性好的CO2激光器。
一种镶嵌结构氧化铝薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种AlCr+α-Al2-CN201910264818.7有效
发明人：邱万奇;杨宇;程奕天;焦东玲;钟喜春;刘仲武 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-04-03 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明属于金属及其氧化物涂层技术领域，公开了一种AlCr+α‑Al2O3溅射靶材及制备与应用。所述溅射靶材由10～20wt％的α‑Al2O3，36.2～40.7wt％的Cr和43.8～49.3wt％的Al组成。将Al粉、Cr粉与α‑Al2O3粉经混粉、加压烧结，得到致密AlCr+α‑Al2O3溅射靶材。所得AlCr+α‑Al2O3溅射靶材通过射频磁控溅射在基体温度520～600℃和10％～15％O2分压下沉积可沉积出单相纳米α‑(Al,Cr)2O3薄膜，所沉积的薄膜硬度高，韧性好。
一种 alcr al base sub

[发明专利]一种渗硼剂及电场辅助低温制备单相Fe2-CN201910259675.0有效
发明人：邱万奇;王耀辉;焦东玲;钟喜春;刘仲武 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-04-02 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： C23C8/70 文献下载
摘要：本发明属于表面强化耐磨渗层技术领域，公开了一种渗硼剂及电场辅助低温制备单相Fe2B渗层的方法。所述渗硼剂由供硼剂B4C、活化剂KBF4和填充剂α‑Al2O3组成，并可添加Ni粉。采用本发明的渗硼剂通过电场辅助低温制备单相Fe2B渗层的方法，渗硼温度在650～850℃仍可得到较厚的单相Fe2B渗硼层，厚度比直接渗硼大8～10倍，而且为致密单相Fe2B渗层。电场辅助对渗硼罐内的温度升高很小，只比炉内温度高10～50℃。因渗硼温度显著降低，表层的孔洞和疏松基本消失。渗硼层的韧性得到显著提高。
一种渗硼剂电场辅助低温制备单相 fe base sub

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