[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底，在其中形成包括第一沟槽区域、第二沟槽区域以及将二者连通的第三沟槽区域的沟槽，第一沟槽区域的宽度大于第二沟槽区域和第三沟槽区域的宽度；形成绝缘层，填满第二沟槽区域和第三沟槽区域；形成第一多晶硅层，填满第一沟槽区域；去除多余的第一多晶硅层，直至露出绝缘层；去除位于半导体衬底表面的全部绝缘层以及位于沟槽内的部分绝缘层；形成栅氧化物层后，在其上形成第二多晶硅层，填满所述沟槽；去除多余的第二多晶硅层，直至露出栅氧化物层。根据本发明，无需增加多晶硅光刻层次来处理上述多晶硅层，产品表面没有明显的台阶，后续光刻、腐蚀工艺的实施难度有所降低。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成沟槽，所述沟槽包括第一沟槽区域、第二沟槽区域以及将第一沟槽区域和第二沟槽区域连通的第三沟槽区域，所述第一沟槽区域的宽度大于所述第二沟槽区域和第三沟槽区域的宽度；在所述半导体衬底上形成绝缘层，以确保填满所述第二沟槽区域和第三沟槽区域，且所述第一沟槽区域的侧壁形成有所述绝缘层但未填满所述第一沟槽区域；在所述绝缘层上形成第一多晶硅层，以确保填满所述第一沟槽区域；去除多余的所述第一多晶硅层，直至露出所述绝缘层；去除多余的所述绝缘层，以去除位于所述半导体衬底表面的全部绝缘层以及位于所述沟槽内的部分绝缘层；在所述半导体衬底上形成栅氧化物层，所述沟槽露出的侧壁上以及所述第一多晶硅层上，均形成有所述栅氧化物层；在所述栅氧化物层上形成第二多晶硅层，以填满所述沟槽；去除多余的所述第二多晶硅层，直至露出位于所述半导体衬底表面以及所述第一多晶硅层顶部的栅氧化物层。