[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201610773105.X | 申请日： | 2016-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN106549035B | 公开（公告）日： | 2021-04-27 |
| 发明（设计）人： | 小川惠理;胁本博树;高桥美咲;小野沢勇一 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40;H01L29/861 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 金玉兰;王颖 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提高半导体装置中的反向恢复时的耐量。本发明提供一种半导体装置，该半导体装置具备：第一传导型的半导体基板；形成于半导体基板的正面的第二传导型的第一区域；位于半导体基板的正面而与第一区域邻接地形成并且比第一区域浓度高的第二传导型的第二区域；位于半导体基板的正面而与第二区域邻接地形成并且比第二区域浓度高的第二传导型的第三区域；覆盖第二区域的一部分以及第三区域的绝缘膜；以及与未被绝缘膜覆盖的第一区域以及第二区域连接的电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：第一传导型的半导体基板；第二传导型的第一区域，其形成于所述半导体基板的正面；第二传导型的第二区域，其位于所述半导体基板的正面而与所述第一区域邻接地形成，并且浓度比所述第一区域高；第二传导型的第三区域，其位于所述半导体基板的正面而与所述第二区域邻接地形成，并且浓度比所述第二区域高；绝缘膜，其覆盖所述第二区域的一部分和所述第三区域；以及电极，其与未被所述绝缘膜覆盖的所述第一区域和所述第二区域连接。
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