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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置-CN201880035669.0有效
发明人：田村隆博;小野沢勇一;高桥美咲;三塚要;尾崎大辅;兼武昭徳 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供半导体装置，其具有半导体基板，半导体基板具备二极管区、晶体管区和位于二极管区与晶体管区之间的边界区，边界区包括在半导体基板的正面侧的预先确定的深度位置从与二极管区邻接的端部起向晶体管区侧延伸设置的缺陷区，且边界区的至少一部分不具有在半导体基板的正面露出的第1导电型的发射区，晶体管区在夹在相邻的2个沟槽部之间且具有发射区的台面部中的最靠近边界区的台面部的下方不具有缺陷区。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201610773105.X有效
发明人：小川惠理;胁本博树;高桥美咲;小野沢勇一 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明的目的在于提高半导体装置中的反向恢复时的耐量。本发明提供一种半导体装置，该半导体装置具备：第一传导型的半导体基板；形成于半导体基板的正面的第二传导型的第一区域；位于半导体基板的正面而与第一区域邻接地形成并且比第一区域浓度高的第二传导型的第二区域；位于半导体基板的正面而与第二区域邻接地形成并且比第二区域浓度高的第二传导型的第三区域；覆盖第二区域的一部分以及第三区域的绝缘膜；以及与未被绝缘膜覆盖的第一区域以及第二区域连接的电极。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201610796522.6有效
发明人： 小野沢勇一 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供能够进行虚拟沟槽部的筛选的半导体装置。本发明提供的半导体装置具备：半导体基板；虚拟沟槽部，其形成于半导体基板的表面侧；发射极，其形成于半导体基板的表面的上方，并具有俯视下的外周凹陷而成凹陷部；虚拟焊盘，其与虚拟沟槽部电连接，在俯视下至少一部分形成于凹陷部的内侧；以及虚拟线，其将发射极与虚拟焊盘电连接。
半导体装置

[发明专利]绝缘栅型半导体装置及其制造方法-CN201280050172.9有效
发明人： 小野沢勇一 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2012-11-15 - 公布日： 2017-09-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：公开了一种绝缘栅型半导体装置，所述绝缘栅型半导体装置中，在隔着栅绝缘膜（5a）填充有栅电极（6）的沟槽（10）之间的基板表面层上具备具有p基极区域（3）和n+发射极区域（4）并与发射极电极（8）导电接触的区域、以及通过其与发射极电极（8）之间夹设的绝缘膜（7）被电位绝缘的p型浮置区域（20）。所述绝缘栅型半导体装置被构造为p型浮置区域（20）的深度比沟槽（10）深，并且其杂质浓度低于p基极区域（3）的杂质浓度。
绝缘半导体装置及其制造方法

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