[发明专利]半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置在审
| 申请号： | 201610584634.5 | 申请日： | 2016-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN106409919A | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;肥塚纯一;冈崎健一;神长正美;井口贵弘;后藤尚人 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司11290 | 代理人： | 李雪春,王维玉 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 抑制包括氧化物半导体的晶体管的电特性变动并提高其可靠性。晶体管包括第一绝缘膜上的氧化物半导体膜；氧化物半导体膜上的第二绝缘膜；第二绝缘膜上的栅电极；与第二绝缘膜的侧面接触的金属氧化膜；以及氧化物半导体膜、栅电极以及金属氧化膜上的第三绝缘膜。氧化物半导体膜包括重叠于栅电极的沟道区域；与第三绝缘膜接触的源区域；以及与第三绝缘膜接触的漏区域。源区域及漏区域包含如下一种以上氢、硼、碳、氮、氟、磷、硫、氯、钛、稀有气体。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 包括 显示装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：晶体管，包括：第一绝缘膜上的氧化物半导体膜；所述氧化物半导体膜上的第二绝缘膜；所述第二绝缘膜上的栅电极；与所述第二绝缘膜的侧面接触的金属氧化膜；以及所述氧化物半导体膜、所述栅电极以及所述金属氧化膜上的第三绝缘膜，其中，所述氧化物半导体膜包括重叠于所述栅电极的沟道区域、与所述第三绝缘膜接触的源区域以及与所述第三绝缘膜接触的漏区域，并且，各所述源区域及所述漏区域包含选自稀有气体、氢、硼、碳、氮、氟、磷、硫、氯和钛中的一种以上。
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