[发明专利]MOSFET及其制造方法

摘要

本发明公开了一种MOSFET，源区和所述漏区具有非对称的结构：漏区的横向结深大于所述源区的横向结深，漏区的纵向结深大于源区的纵向结深；通过增加漏区的横向结深和纵向结深来提高器件的击穿电压，通过减少源区的横向结深和纵向结深来减少器件的横向尺寸；栅介质层具有非对称的结构：栅介质层包括横向连接的第一栅介质段和第二栅介质段；第一栅介质段的厚度大于第二栅介质段的厚度；通过增加第一栅介质段的厚度减少器件的GIDL效应，通过减少第二栅介质段的厚度增加器件的驱动电流。本发明还公开了一种MOSFET的制造方法。本发明能提高器件的击穿电压同时降低器件尺寸，能减小GIDL效应同时提高器件的电流驱动能力。

主权项

1.一种MOSFET的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：/n步骤一、提供一半导体衬底，进行第二导电类型的阱注入在所述半导体衬底的表面区域形成阱区；/n步骤二、采用热氧化或化学气相淀积工艺在所述半导体衬底表面形成第一氧化层；/n步骤三、采用化学气相沉积工艺以及光刻工艺在所述第一氧化层表面形成多晶硅栅；所述多晶硅栅通过所述第一氧化层覆盖在所述阱区表面；/n步骤四、采用化学气相淀积工艺形成第一介质层，所述第一介质层为氮化硅或氮氧化硅；/n步骤五、采用光刻加刻蚀工艺去除漏区形成区域的所述第一介质层，源区形成区域的所述第一介质层保留，所述漏区形成区域位于所述多晶硅栅的第一侧外部，所述源区形成区域位于所述多晶硅栅的第二侧外部，所保留的所述第一介质层还从所述源区形成区域延伸到所述多晶硅栅的顶部，所述第一介质层被去除的区域还从所述漏区形成区域延伸到所述多晶硅栅的顶部；/n步骤六、利用所述第一介质层和其顶部的光刻胶为掩模，进行第一导电类型轻掺杂离子注入形成轻掺杂漏区，所述轻掺杂漏区和所述多晶硅栅的第一侧自对准；通过所述轻掺杂漏区的离子注入调节漏区的结深；在横向上所述轻掺杂漏区从所述多晶硅栅的第一侧横向延伸到所述多晶硅栅的底部并形成所述漏区和所述多晶硅栅的交叠区；/n步骤七、去除所述第一介质层顶部的光刻胶，以所述第一介质层为掩模进行局部热氧化工艺形成局部热氧化层，所述局部热氧化层从所述漏区形成区域延伸到所述多晶硅栅的底部；之后，去除所述第一介质层；/n由延伸到所述多晶硅栅底部的所述局部热氧化层和所述第一氧化层叠加形成第一栅介质段，由位于所述多晶硅栅底部且未叠加所述局部热氧化层的所述第一氧化层组成第二栅介质段；/n由所述第一栅介质段和所述第二栅介质段横向连接形成栅介质层；所述第一栅介质段位于所述漏区和所述多晶硅栅的交叠区内；通过增加所述第一栅介质段的厚度减少器件的GIDL效应，通过减少所述第二栅介质段的厚度增加器件的驱动电流；/n步骤八、进行第一导电类型重掺杂的源漏注入在所述多晶硅栅的两侧形成源漏注入区；所述源漏注入区和所述多晶硅栅两侧自对准，由位于所述多晶硅栅第一侧的所述源漏注入区叠加所述轻掺杂漏区形成漏区，由位于所述多晶硅栅第二侧的所述源漏注入区组成源区；/n所述源区和所述漏区呈非对称的结构：所述漏区的横向结深大于所述源区的横向结深，所述漏区的纵向结深大于所述源区的纵向结深；通过增加所述漏区的横向结深和纵向结深来提高器件的击穿电压，通过减少所述源区的横向结深和纵向结深来减少器件的横向尺寸。/n