[发明专利]半导体器件的制造方法

摘要

一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：形成多个栅电极；在多个栅电极之上形成第一绝缘膜，使得第一绝缘膜嵌入在多个栅电极之间的空间中；在第一绝缘膜之上形成第二绝缘膜；在第二绝缘膜之上形成第三绝缘膜；在第三绝缘膜之上形成感光图案；使用感光图案作为掩膜来执行刻蚀，以形成延伸通过第一绝缘膜至第三绝缘膜并且到达半导体衬底的沟槽；去除感光图案；使用暴露的第三绝缘膜作为掩膜来执行刻蚀以将沟槽延伸到半导体衬底中；去除第三绝缘膜和第二绝缘膜；以及在沟槽中并在第一绝缘膜之上形成第四绝缘膜。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：在半导体衬底的主表面之上形成多个栅电极；在所述栅电极之上形成第一绝缘膜，使得所述第一绝缘膜嵌入在所述栅电极之间的空间中；在所述第一绝缘膜之上形成由与所述第一绝缘膜的材料不同的材料制成的第二绝缘膜；在所述第二绝缘膜之上形成由与所述第二绝缘膜的材料不同的材料制成的第三绝缘膜；在所述第三绝缘膜之上形成感光图案；使用所述感光图案作为掩膜来执行刻蚀，以形成延伸通过所述第一绝缘膜至所述第三绝缘膜并且到达所述半导体衬底的沟槽；去除所述感光图案，使得暴露所述第三绝缘膜；使用暴露的所述第三绝缘膜作为掩膜来执行刻蚀，以将所述沟槽延伸到所述半导体衬底中；去除所述第三绝缘膜和所述第二绝缘膜；以及在所述沟槽中并在所述第一绝缘膜之上形成第四绝缘膜，使得在所述沟槽中形成中空空间。