[发明专利]一种半导体器件的制备方法

摘要

本发明涉及蚀刻晶圆的工艺过程，尤其涉及一种半导体器件的制备方法。提供一半导体衬底，且半导体衬底上开设有开口；于开口中制备深通孔；在深通孔的底部制备底部抗反射涂层，以部分填充深通孔；旋涂光刻胶充满深通孔及开口；采用第一光罩对光刻胶进行第一曝光显影工艺，深通孔中残留有部分未被曝光的剩余光刻胶；采用第二光罩对剩余光刻胶进行第二曝光显影工艺，以去除剩余光刻胶；以及以底部抗反射涂层及具有沟槽图形的光阻为掩膜，刻蚀半导体衬底，以基于深通孔在半导体衬底中形成沟槽。有效地去除了深通孔内中间和周边的残留的光刻胶；而且由于深通孔底部涂有作为阻挡层的抗反射涂层，后续刻蚀工艺时也不会蚀刻掉深通孔底部的金属层。

主权项

一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底，且所述半导体衬底上开设有若干开口；于所述开口中制备深通孔，所述深通孔嵌入至所述半导体衬底中；在所述深通孔的底部制备底部抗反射涂层，以部分填充所述深通孔；旋涂光刻胶充满所述深通孔及所述开口；采用第一光罩对所述光刻胶进行第一曝光显影工艺，以去除部分光刻胶进而形成具有沟槽图形的光阻，且所述深通孔中残留有部分未被曝光的剩余光刻胶；采用第二光罩对所述剩余光刻胶进行第二曝光显影工艺，以去除所述剩余光刻胶；以及以所述底部抗反射涂层及所述具有沟槽图形的光阻为掩膜，刻蚀所述半导体衬底，以基于所述深通孔在所述半导体衬底中形成沟槽。