[发明专利]横向超级结MOSFET器件及端接结构

摘要

本发明涉及一种MOSFET器件及端接结构，尤其涉及一种横向超级结MOSFET器件及端接结构，一种横向超级结MOSFET器件包括一个栅极结构、一个连接到横向超级结结构的第一立柱以及一个紧靠第一立柱的第二立柱。该横向超级结MOSFET器件包括第一立柱，当MOSFET接通时接收来自通道的电流，并将电流分配至横向超级结结构，用作漏极漂流区。位于第一立柱附近的第二立柱用于当MOSFET器件断开时，夹断第一立柱，防止MOSFET器件在漏极端承受的高电压接触栅极结构。在一些实施例中，横向超级结MOSFET器件还包括用于漏极、源极以及本体接触掺杂区梳的端接结构。

主权项

1.一种横向超级结MOSFET器件，其特征在于，包括：一个半导体基极层，含有一个第一导电类型的重掺杂半导体衬底，以及一个形成在衬底上的第一导电类型的轻掺杂半导体层，衬底构成MOSFET器件的底部源极电极；一个半导体本体，形成在半导体基极层上，且包含一个横向超级结结构，横向超级结结构含有多个交替的N‑型和P‑型薄半导体区，与半导体本体的主表面基本平行，交替的N‑型和P‑型薄半导体区构成MOSFET器件的漏极漂流区；一个第一导电类型的本体区，形成在半导体本体的第一表面上，第一表面的位置与半导体基极层相反；一个导电栅极，形成在横向超级结结构近栅极端处的半导体本体上，并且通过一栅极电介质层与半导体本体绝缘；一个与第一导电类型相反的第二导电类型的源极区，形成在本体区中，与导电栅极的第一端自对准，源极区在导电栅极第一端的下方延伸，形成很小的重叠；一个第一导电类型的本体接触区，形成在本体区中，并邻近源极区；一个第二导电类型的漏极区，形成在横向超级结结构的远栅极端，漏极区贯穿横向超级结结构；一个第二导电类型的第一立柱，形成在导电栅极下方，且与源极区有一定距离，在源极区和第一立柱之间的导电栅极下方的半导体本体区域，构成MOSFET器件的一个通道，第一立柱贯穿横向超级结结构，并且电无偏；以及一个形成在本体接触区下方并与本体接触区电接触的第一导电类型的第二立柱，第二立柱贯穿横向超级结结构；其中第一立柱将电流从导通状态下的MOSFET器件的通道，分发至横向超级结结构形成的漏极漂流区，并被漏极区收集起来，在MOSFET器件的断开状态下，第二立柱夹断第一立柱，使导电栅极与漏极区的漏极电压隔离。