[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子装置有效
| 申请号： | 201610356806.3 | 申请日： | 2016-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN107437504B | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供由自下而上层叠的硅基体、掩埋氧化物层和硅层构成的绝缘体上硅衬底，在绝缘体上硅衬底上形成有栅极结构和位于栅极结构两侧的侧壁结构；使栅极结构中的栅极材料层和绝缘体上硅衬底的硅层中作为源/漏区的部分完全转变为金属硅化物层；去除侧壁结构后，执行第一LDD注入，以在金属硅化物层的朝向沟道区的一侧的硅层中形成第一LDD注入区；执行第二LDD注入，以在第一LDD注入区的上部形成第二LDD注入区，且第二LDD注入区的宽度大于第一LDD注入区的宽度。根据本发明，可以增大沟道区的载流子迁移率，同时，减弱短沟道效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供由自下而上层叠的硅基体、掩埋氧化物层和硅层构成的绝缘体上硅衬底，在所述绝缘体上硅衬底上形成有栅极结构和位于所述栅极结构两侧的侧壁结构；使所述栅极结构中的栅极材料层和所述绝缘体上硅衬底的硅层中作为源/漏区的部分完全转变为金属硅化物层；去除所述侧壁结构后，执行第一LDD注入，以在所述金属硅化物层的朝向沟道区的一侧的硅层中形成第一LDD注入区；执行第二LDD注入，以在所述第一LDD注入区的上部形成第二LDD注入区，且所述第二LDD注入区的宽度大于所述第一LDD注入区的宽度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
