[发明专利]一种半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底的表面上形成有第一介电层，在第一介电层上形成图案化的掩膜层；形成位于所述半导体衬底中的深沟槽；在深沟槽的底部和侧壁上形成第二介电层；沉积形成第一多晶硅层填充所述深沟槽；进行第一回蚀刻以蚀刻去除部分第一多晶硅层，其中，剩余的第一多晶硅层的顶面高于第一介电层的顶面，并低于掩膜层的顶面；去除掩膜层；进行第二回蚀刻以蚀刻去除所述第一多晶硅层；形成深沟槽电容的顶极板。根据本发明的方法，可以有效避免掩膜层去除过程中对于深沟槽外侧的其他的与掩膜层具有相同材质的膜层或材料的蚀刻损伤，扩大了掩膜层去除工艺的窗口。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底的表面上形成有第一介电层，在所述第一介电层上形成图案化的掩膜层；以所述图案化的掩膜层为掩膜，依次蚀刻所述第一介电层和所述部分所述半导体衬底，以形成位于所述半导体衬底中的深沟槽；在所述深沟槽的底部和侧壁上形成第二介电层；沉积形成第一多晶硅层填充所述深沟槽，并溢出到所述掩膜层的表面上；进行第一回蚀刻以蚀刻去除部分所述第一多晶硅层，其中，剩余的所述第一多晶硅层的顶面高于所述第一介电层的顶面，并低于所述掩膜层的顶面；去除所述掩膜层；进行第二回蚀刻以蚀刻去除部分所述第一多晶硅层，使剩余的所述第一多晶硅层的顶面低于所述第一介电层的顶面；在所述第一多晶硅层的顶面上和所述第一介电层的顶面上形成顶极板材料层；图案化所述顶极板材料层和所述第一介电层，以形成深沟槽电容的顶极板，其中，所述顶极板位于所述第一多晶硅层上。