[发明专利]浅沟槽隔离结构的制作方法有效
| 申请号： | 201610307225.0 | 申请日： | 2016-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN105914178B | 公开（公告）日： | 2019-07-26 |
| 发明（设计）人： | 徐涛;陈宏;王卉;曹子贵 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种浅沟槽隔离结构的制作方法，包括步骤：在衬底上依次沉积氧化层和掩膜层；形成一开口，至少位于所述掩膜层中；在所述开口的侧壁上形成侧墙；以所述侧墙和掩膜层为掩膜，对所述衬底进行刻蚀，在所述衬底中形成一沟槽；去除所述侧墙；以及在所述开口和沟槽中填充绝缘材料，形成浅沟槽隔离结构。本发明通过形成所述侧墙能改变后续刻蚀工艺中浅沟槽隔离结构的形状，减小或者消除浅沟槽隔离区和有源区边缘的边沟，从而能减少反向窄沟道效应，提高器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
1.浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：在衬底上依次沉积氧化层和掩膜层；形成一开口，至少位于所述掩膜层中；在所述开口中形成一牺牲层，刻蚀所述牺牲层在所述开口中形成侧墙；以所述侧墙和掩膜层为掩膜，对所述衬底进行刻蚀，在所述衬底中形成一沟槽；去除所述侧墙；以及在所述开口和沟槽中填充绝缘材料，形成浅沟槽隔离结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
