[发明专利]薄膜晶体管结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201610273749.2 | 申请日： | 2016-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN105826395A | 公开（公告）日： | 2016-08-03 |
| 发明（设计）人： | 涂望华;殷婉婷 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管结构，其包括一基板、一遮光树脂、一多晶硅、一栅极绝缘层、一栅极、一间介电层以及一源极以及一漏极。其中所述遮光树脂同时具有遮光以及绝缘的功能，通过两端过孔掺杂，因此能简化生产工艺、简化曝光工艺、缩短生产时间、减少掩膜使用以及降低成本等技术效果。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管结构，其特征在于，包括：一基板；一遮光树脂，设置于所述基板之上；一多晶硅，设置于所述遮光树脂之上；一栅极绝缘层,设置于所述基板以及所述多晶硅之上；一栅极,紧靠所述栅极绝缘层设置；一间介电层，设置于所述栅极绝缘层以及所述栅极之上；以及一源极以及一漏极，设置于所述间介电层之上；其中，所述源极以及所述漏极分别通过二过孔连接所述多晶硅。
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