[发明专利]一种半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域。包括提供半导体衬底，其包括高压器件区域和低压器件区域；在半导体衬底上形成第一栅极氧化层；在高压器件区域内的部分第一栅极氧化层表面上形成图案化的掩膜层，图案化的掩膜层完全覆盖预定形成第一栅极结构及第一栅极侧墙的区域，且暴露与预定形成的高压器件区域内的源漏区位置对应的部分第一栅极氧化层和低压器件区域的第一栅极氧化层；以图案化的掩膜层为掩膜，去除暴露的第一栅极氧化层；去除图案化的掩膜层；在半导体衬底上形成第二栅极氧化层，第一栅极氧化层的厚度大于所述第二栅极氧化层的厚度。本发明的制造方法，有效减少漏电发生几率，提高了器件的性能和可靠性。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括高压器件区域和低压器件区域；在所述半导体衬底上形成第一栅极氧化层；在所述高压器件区域内的部分第一栅极氧化层表面上形成图案化的掩膜层，其中，所述图案化的掩膜层完全覆盖预定形成第一栅极结构及第一栅极侧墙的区域，且暴露与预定形成的所述高压器件区域内的源漏区位置对应的部分所述第一栅极氧化层和所述低压器件区域的第一栅极氧化层，且被所述图案化的掩膜层覆盖的所述第一栅极氧化层的尺寸大于预定形成的所述第一栅极结构的尺寸；以所述图案化的掩膜层为掩膜，去除暴露的第一栅极氧化层；去除所述图案化的掩膜层；在所述半导体衬底上形成第二栅极氧化层，其中，所述第一栅极氧化层的厚度大于所述第二栅极氧化层的厚度。