[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201610228203.5 | 申请日： | 2016-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN106158746B | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 金成玟;朴善钦;申宪宗;车东镐 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/762;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张帆;崔卿虎 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了半导体器件及其形成方法。所述方法可以包括：通过刻蚀衬底形成第一深度的第一沟槽来形成鳍；在所述第一沟槽中形成第一器件隔离层；通过刻蚀所述第一器件隔离层和所述衬底，形成大于所述第一深度的第二深度的第二沟槽；在所述第二沟槽中形成第二器件隔离层；在所述鳍上形成多个虚设栅极；通过刻蚀所述虚设栅极中的至少一个以及所述鳍，形成小于所述第一深度的第三深度的第三沟槽；以及在所述第三沟槽中形成第三器件隔离层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括：通过刻蚀衬底形成第一深度的第一沟槽，来形成鳍；在所述第一沟槽中形成第一器件隔离层；通过刻蚀所述第一器件隔离层和所述衬底，来形成大于所述第一深度的第二深度的第二沟槽；在所述第二沟槽中形成第二器件隔离层；在所述鳍上形成多个虚设栅极；通过刻蚀所述虚设栅极中的至少一个以及所述鳍，来形成小于所述第一深度的第三深度的第三沟槽；以及在所述第三沟槽中形成第三器件隔离层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610228203.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体封装及其制作方法
- 下一篇：内燃机
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
