[发明专利]半导体器件及制造其的方法有效
| 申请号： | 201610223619.8 | 申请日： | 2016-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN106057808B | 公开（公告）日： | 2022-01-04 |
| 发明（设计）人： | 朴秀蕙;金伦楷;裵德汉;张在兰;全辉璨 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括：设置有有源图案的衬底；横过有源图案延伸的栅电极；分别设置于栅电极之间的有源图案的上部中的源极/漏极区域；以及设置在栅电极之间并且分别电连接至源极/漏极区域的第一接触和第二接触。第一接触和第二接触以其接触中心线与相应的栅中心线间隔开第一和第二距离的方式设置。第一距离不同于第二距离。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底，具有有源图案和在所述有源图案的上部中的源极/漏极区域；在第一方向上与所述有源图案交叉的栅电极，所述栅电极在与所述第一方向垂直的第二方向上彼此隔开；以及第一接触的组和第二接触的组，所述第一接触和所述第二接触分别电连接至所述源极/漏极区域，其中，当在平面图中观看时，所述源极/漏极区域和与之连接的所述第一接触和所述第二接触位于所述栅电极之间，第二接触的所述组在所述第二方向上相对于所述栅电极偏移与第一接触的所述组在所述第二方向上相对于所述栅电极偏移的量不同的量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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