[发明专利]氮化镓半导体器件的制备方法在审
| 申请号： | 201610176560.1 | 申请日： | 2016-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN107230617A | 公开（公告）日： | 2017-10-03 |
| 发明（设计）人： | 刘美华;孙辉;林信南;陈建国 | 申请（专利权）人： | 北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/285;H01L29/778;H01L29/45 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 孙明子,黄健 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化镓半导体器件的制备方法，包括在氮化镓外延基底的表面上沉积第一氮化硅介质层，其中，氮化镓外延基底包括由下而上依次设置的硅衬底层、氮化镓层和氮化镓铝层；对第一氮化硅介质层进行干法刻蚀，形成相对设置的第一窗口和第二窗口；采用三氯化硼和氯气，分别对第一窗口和第二窗口进行低于预设功率过刻处理，过刻掉部分氮化镓铝层，形成欧姆接触孔；采用磁控溅射镀膜工艺，在欧姆接触孔内、以及第一氮化硅介质层的表面上，沉积钛/铝欧姆接触金属层；对钛/铝欧姆接触金属层进行光刻和刻蚀，形成欧姆接触电极；以氮气为反应气体，在预设低温环境下对器件进行退火处理，从而得到的欧姆接触电阻较小，从而有利于最终制备得到的半导体器件具有良好的输出电流。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：在氮化镓外延基底的表面上沉积第一氮化硅介质层，其中，所述氮化镓外延基底包括由下而上依次设置的硅衬底层、氮化镓层和氮化镓铝层；对所述第一氮化硅介质层进行干法刻蚀，形成相对设置的第一窗口和第二窗口；采用三氯化硼和氯气，分别对所述第一窗口和所述第二窗口进行低于预设功率过刻处理，过刻掉部分所述氮化镓铝层，形成欧姆接触孔；采用磁控溅射镀膜工艺，在所述欧姆接触孔内、以及所述第一氮化硅介质层的表面上，沉积钛/铝欧姆接触金属层；对所述钛/铝欧姆接触金属层进行光刻和刻蚀，形成欧姆接触电极；以氮气为反应气体，在预设低温环境下对器件进行退火处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
