[发明专利]一种半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201610020744.9 | 申请日： | 2016-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN106971979B | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 黄河;李海艇;朱继光 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯集成电路(宁波)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 11336 北京市磐华律师事务所 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域。包括：在器件衬底的正面上形成多层III‑V族半导体膜层，包括依次形成III‑V族半导体第一缓冲层、III‑V族半导体第一阻挡层、III‑V族半导体沟道层、III‑V族半导体第二阻挡层、III‑V族半导体器件层；在器件衬底的正面所述多层III‑V族半导体膜层中形成前端器件；对器件衬底的背面进行减薄处理，以去除所有的器件衬底；去除III‑V族半导体第一缓冲层和III‑V族半导体第一阻挡层，以暴露III‑V族半导体沟道层。本发明的方法采用与硅工艺兼容的高迁移率III‑V族半导体材料代替硅沟道，提高了半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：/n步骤S1：提供器件衬底，在所述器件衬底的正面上形成多层III-V族半导体膜层，其包括依次形成III-V族半导体第一缓冲层、III-V族半导体第一阻挡层、III-V族半导体沟道层、III-V族半导体第二阻挡层、III-V族半导体器件层；/n步骤S2：在所述器件衬底的正面所述多层III-V族半导体膜层中形成前端器件，以及形成覆盖所述前端器件的后端器件层；/n步骤S3：提供处理衬底，在所述处理衬底的正面形成键合层；/n步骤S4：将所述处理衬底的正面与所述器件衬底的正面相键合，并对所述器件衬底的背面进行减薄处理，以去除所有的所述器件衬底；/n步骤S5：去除所述III-V族半导体第一缓冲层和所述III-V族半导体第一阻挡层，以暴露所述III-V族半导体沟道层。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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