[发明专利]使用氧等离子体刻蚀黑磷二维材料体的加工方法有效

申请号：	201510475008.8	申请日：	2015-08-06
公开（公告）号：	CN106384719B	公开（公告）日：	2020-06-23
发明（设计）人：	盖鑫;王贝贝	申请（专利权）人：	王贝贝
主分类号：	H01L21/465	分类号：	H01L21/465
代理公司：	深圳信科专利代理事务所(普通合伙) 44500	代理人：	吴军
地址：	272000 山东省济宁市市***	国省代码：	山东;37
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摘要：	本发明涉及一种使用氧等离子体刻蚀黑磷二维材料体的加工方法，其包括步骤：使用氧等离子体对多层的黑磷二维材料体进行刻蚀反应，多层的黑磷二维材料体由于刻蚀反应成为了目标层数的薄层黑磷二维材料体且在所述薄层黑磷二维材料体的表面形成氧化磷保护层。可以实现精确的控制黑磷二维材料体的层数，大大增加了黑磷二维材料体在常温，空气环境中的有效存在时间，寿命会进一步增加。
搜索关键词：	使用等离子体刻蚀黑磷二维材料加工方法
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【主权项】：

一种使用氧等离子体刻蚀黑磷二维材料体的加工方法，其特征在于，包括步骤：使用氧等离子体对多层的黑磷二维材料体进行刻蚀反应，多层的黑磷二维材料体由于刻蚀反应成为了目标层数的薄层黑磷二维材料体且在所述薄层黑磷二维材料体的表面形成氧化磷保护层。

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摘要：本发明涉及一种使用氧等离子体刻蚀黑磷二维材料体的加工方法，其包括步骤：使用氧等离子体对多层的黑磷二维材料体进行刻蚀反应，多层的黑磷二维材料体由于刻蚀反应成为了目标层数的薄层黑磷二维材料体且在所述薄层黑磷二维材料体的表面形成氧化磷保护层。可以实现精确的控制黑磷二维材料体的层数，大大增加了黑磷二维材料体在常温，空气环境中的有效存在时间，寿命会进一步增加。

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摘要：本发明属于半导体制造技术领域，具体公开了一种锗的表面钝化方法。采用硫代乙酰胺（CH3CSNH2）溶液钝化锗（Ge）片，可以清除Ge片表面的自然氧化物，并且能够生成均匀致密的GeSx钝化层，防止Ge片表面的再次氧化，消除费米能级钉扎。在钝化后的Ge片上，采用原子层淀积方法淀积一层高质量的Al2O3薄膜来防止Ge片表面的再次氧化，可以获得优良的Al2O3/Ge界面。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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[发明专利]使用氧等离子体刻蚀黑磷二维材料体的加工方法有效

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