[发明专利]氧化物薄膜晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 201510383485.1 | 申请日： | 2015-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN104966739A | 公开（公告）日： | 2015-10-07 |
| 发明（设计）人： | 王质武 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;C23C14/35 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 何青瓦 |
| 地址： | 518006 广东省深圳市光明新区公*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种氧化物薄膜晶体管及其制作方法，所述制作方法包括在第一基板上依次形成栅极、栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成一漏极以及一源极，其中，所述源极和漏极被一沟道分隔开，所述沟道使所述栅极绝缘层部分暴露；在暴露的部分所述栅极绝缘层的表面形成氧化物膜层；在所述氧化物膜层的表面生成氮化铝AlN薄膜。通过上述方式，本发明能够在保护氧化物薄膜晶体管背沟道的同时简化制造工艺，节省成本。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 薄膜晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：在第一基板上依次形成栅极、栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成一漏极以及一源极，其中，所述源极和漏极被一沟道分隔开，所述沟道使所述栅极绝缘层部分暴露；在暴露的部分所述栅极绝缘层的表面形成氧化物膜层；在所述氧化物膜层的表面生成氮化铝AlN薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司，未经深圳市华星光电技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510383485.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种太阳能电池组件
- 下一篇：一种IGBT模块的新型封装结构
- 同类专利
- 专利分类
