[发明专利]鳍式场效应管的形成方法有效
| 申请号： | 201510324674.1 | 申请日： | 2015-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN106298929B | 公开（公告）日： | 2019-11-01 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;张城龙 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/8234;H01L21/302 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种鳍式场效应管的形成方法，包括：在栅极膜表面形成硅材料层；在所述硅材料层上形成若干分立的第一图形层，所述第一图形层横跨至少一个所述鳍部，所述第一图形层的排列方向与鳍部延伸方向相互平行；以第一图形层为掩膜，刻蚀硅材料层直至暴露出栅极膜表面，在所述栅极膜表面形成若干分立的初始硅层，初始硅层与鳍部延伸方向垂直的侧壁表面具有第一线宽粗糙度；对初始硅层与鳍部延伸方向垂直的侧壁进行，修复刻蚀处理，使得所述初始硅层与鳍部延伸方向垂直的侧壁表面具有第二线宽粗糙度，且第二线宽粗糙度小于第一线宽粗糙度。本发明提高形成的栅极的质量，改善栅极与鳍部延伸方向相垂直的侧壁的线宽粗糙度，从而提高鳍式场效应管的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底以及位于衬底表面的若干分立的鳍部，所述鳍部两侧的衬底表面形成有隔离层，且所述隔离层顶部低于鳍部顶部，所述隔离层表面以及鳍部表面形成有栅极膜，所述栅极膜顶部高于鳍部顶部；在所述栅极膜表面形成硅材料层；在所述硅材料层上形成若干分立的第一图形层，所述第一图形层横跨至少一个所述鳍部，所述第一图形层的排列方向与鳍部延伸方向相互平行；以所述第一图形层为掩膜，刻蚀硅材料层直至暴露出栅极膜表面，在所述栅极膜表面形成若干分立的初始硅层，所述初始硅层与鳍部延伸方向垂直的侧壁表面具有第一线宽粗糙度；对所述初始硅层与鳍部延伸方向垂直的侧壁进行修复刻蚀处理，使得所述初始硅层与鳍部延伸方向垂直的侧壁表面具有第二线宽粗糙度，且第二线宽粗糙度小于第一线宽粗糙度。
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