[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201510098219.4 | 申请日： | 2015-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN105280719A | 公开（公告）日： | 2016-01-27 |
| 发明（设计）人： | 壱岐村岳人 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝;王英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明描述了例如二极管的半导体器件。所述半导体器件包括第一导电类型衬底层。第二导电类型第一半导体层位于第一导电类型衬底层中。第一导电类型第二半导体层位于所述第一半导体层中并且与所述衬底层分开。第二导电类型第三半导体层位于所述第二半导体层中。第一导电类型第四半导体层位于所述第三半导体层中。第一导电类型第五半导体层位于所述第三半导体层中并且与所述第四半导体层分开。第二导电类型第六半导体层位于所述第三半导体层中并且与所述第四半导体层分开。第一电极连接到所述第四半导体层。并且第二电极连接到所述第五半导体层和所述第六半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一导电类型的衬底层；所述衬底层中的第二导电类型的第一半导体层；所述第一导电类型的第二半导体层，其位于所述第一半导体层中并且由所述第一半导体层与所述衬底层分开；所述第二半导体层中的所述第二导电类型的第三半导体层；所述第三半导体层中的所述第一导电类型的第四半导体层；所述第一导电类型的第五半导体层，其位于所述第三半导体层中并且与所述第四半导体层分开；所述第二导电类型的第六半导体层，其位于所述第三半导体层中并且与所述第四半导体层分开，所述第六半导体层具有比所述第三半导体层的第二导电类型杂质浓度高的第二导电类型杂质浓度；连接到所述第四半导体层的第一电极；以及连接到所述第五半导体层和所述第六半导体层的第二电极。
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