[实用新型]输出驱动级功率MOS器件有效
| 申请号： | 201420348712.8 | 申请日： | 2014-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN203950812U | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 崔永明;张干;王作义;彭彪 | 申请（专利权）人： | 四川广义微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/02 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 梁田 |
| 地址： | 629000 四川省遂宁市经济技术开发区内（*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 输出驱动级功率MOS器件，包括硅片本体和硅片本体上的栅极，栅极与硅片本体之间具有栅氧绝缘层，位于栅氧绝缘层下方两侧的源极和漏极，及位于源极和漏极周围及下方的外延层；所述外延层上还具有第一注入区和第二注入区，所述第二注入区位于第一注入区和源极之间，所述第二注入区的注入类型与外延层相同，且注入浓度大于外延层，第一注入区的注入类型与外延层相反，所述栅极与第一注入区通过连接孔连接。本实用新型通过在外延层设置注入层，与外延层组合形成连接在栅极和外延层之间的二极管，为静电泄放提供了导通通路，提高了驱动级功率MOS的防护能力，且实现方式简单，与常用的CMOS工艺完全兼容，成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 输出 驱动 功率 mos 器件 | ||
【主权项】：
输出驱动级功率MOS器件，包括硅片本体和硅片本体上的栅极（3），栅极与硅片本体之间具有栅氧绝缘层（7），位于栅氧绝缘层下方两侧的源极（1）和漏极（2），及位于源极和漏极周围及下方的外延层（4）；其特征在于，所述外延层上还具有第一注入区（5）和第二注入区（6），所述第二注入区位于第一注入区（5）和源极（1）之间，所述第二注入区的注入类型与外延层（4）相同，且注入浓度大于外延层，第一注入区（5）的注入类型与外延层相反，所述栅极与第一注入区通过连接孔连接。
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