[实用新型]输出驱动级功率MOS器件

权利要求书

1.输出驱动级功率MOS器件，包括硅片本体和硅片本体上的栅极（3），栅极与硅片本体之间具有栅氧绝缘层（7），位于栅氧绝缘层下方两侧的源极（1）和漏极（2），及位于源极和漏极周围及下方的外延层（4）；

其特征在于，所述外延层上还具有第一注入区（5）和第二注入区（6），所述第二注入区位于第一注入区（5）和源极（1）之间，所述第二注入区的注入类型与外延层（4）相同，且注入浓度大于外延层，第一注入区（5）的注入类型与外延层相反，所述栅极与第一注入区通过连接孔连接。

2. 如权利要求1所述的输出驱动级功率MOS器件，其特征在于，所述第二注入区（6）和第一注入区（5）紧邻。

3. 如权利要求1所述的输出驱动级功率MOS器件，其特征在于，所述源极和漏极分布于栅极（3）两侧，所述第一注入区（5）和第二注入区（6）位于栅极的至少一端。

4. 如权利要求1所述的输出驱动级功率MOS器件，其特征在于，外延层上设置的所述第二注入区（6）包围源极（1）和漏极（2）形成环状。

5. 如权利要求1所述的输出驱动级功率MOS器件，其特征在于，所述栅极（3）与第一注入区（5）之间具有金属层，所述栅极与金属层、金属层与第一注入区（5）之间通过连接孔连接，所述金属层与硅片本体之间由场氧化层隔离。

6. 如权利要求1所述的输出驱动级功率MOS器件，其特征在于，所述栅极为多晶硅，所述栅氧绝缘层（7）和场氧化层为二氧化硅。