[实用新型]一种圆片级芯片扇出封装结构

摘要

本实用新型公开了一种圆片级芯片扇出封装结构，属于半导体封装技术领域。其在硅晶圆上设置浅硅腔体（111）并顺次在硅晶圆表面设置介电层（120）和再布线层Ⅰ（131），接着在该硅基体（110）的上表面的再布线层Ⅰ（131）的表面设置金属凸块（140），将制备有芯片表面金属凸点（220）的待封装芯片（210）倒装放置到浅硅腔体（111）里，将整个硅晶圆进行塑封，并露出金属凸块（140）的上表面，再在塑封体（150）的上表面设置再布线层Ⅱ（132），将金属凸块（140）的输出端重布成阵列并放置焊锡球（170）。本实用新型避免了待封装芯片在塑封工艺中的偏移问题，并降低了封装工艺过程中圆片的翘曲问题，提升了封装产品的可靠性。

主权项

一种圆片级芯片扇出封装结构，包括： 一硅基体（110），在该上表面设有下凹的浅硅腔体（111）； 一介电层（120），覆盖在该硅基体（110）的上表面和浅硅腔体（111）的表面； 一再布线层Ⅰ（131），选择性地设置于该介电层（120）的表面，并沿浅硅腔体（111）底部向上延伸至同侧的硅基体（110）的上表面； 至少一待封装芯片（210），在该正面设置有若干个芯片表面金属凸点（220），并通过该芯片表面金属凸点（220）倒装至该浅硅腔体（111）内与再布线层Ⅰ（131）实现电气互连； 至少一金属凸块（140），固定于该硅基体（110）的上表面的再布线层Ⅰ（131）的表面； 一塑封体（150），塑封该待封装芯片（210）、该金属凸块（140）和该再布线层Ⅰ（131）所在的空间，并露出该金属凸块（140）的上表面；以及 一再布线层Ⅱ（132），设置于该塑封体（150）的表面，并与该金属凸块（140）形成电气互连；  一钝化层（160），覆盖在该再布线层Ⅱ（132）的表面，并选择性地设置若干个钝化层（160）开口，该钝化层（160）开口内设置焊锡球（170），与再布线层Ⅱ（132）实现电气互连。