[发明专利]制造半导体结构的方法以及半导体结构在审
| 申请号： | 201410742729.6 | 申请日： | 2014-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN104701160A | 公开（公告）日： | 2015-06-10 |
| 发明（设计）人： | H-J·舒尔策;M·聪德尔;A·毛德;A·梅瑟;F·希尔勒;H·韦伯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L29/40;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 提供一种制造半导体结构的方法，其可包括：在衬底中形成与n掺杂区相邻的p掺杂区；实施阳极氧化以在衬底表面上形成氧化物层，其中在表面沿n掺杂区延伸的第一部分中的氧化物层比在表面沿p掺杂区延伸的第二部分中的氧化物层具有更大的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 结构 方法 以及 | ||
【主权项】：
一种制造半导体结构的方法，所述方法包括：在衬底中形成与n掺杂区相邻的p掺杂区；以及实施阳极氧化以在所述衬底的表面上形成氧化物层，其中沿所述n掺杂区延伸的所述表面的第一部分中的所述氧化物层相比沿所述p掺杂区延伸的所述表面的第二部分中的所述氧化物层具有更大的厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
