“A·毛德”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果37个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]包含结合垫和结合导线或夹子的半导体器件-CN201910175642.8有效
发明人： A·毛德;H-J·舒尔策 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2019-03-08 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：半导体器件(500)包含结合垫(300)，结合垫(300)包含具有基底层(317)的基底部分(310)。结合导线或夹子(410)结合到结合垫(300)的主表面(301)的结合区域(305)。补充结构(350)与邻接结合区域(305)的基底部分(310)直接接触。补充结构(350)的比热容高于基底层(317)的比热容。
包含结合导线夹子半导体器件

[发明专利]在运行中具有改善的性能并且在功率芯片布置中具有改善的灵活性的半导体器件-CN202210585079.3在审
发明人： E·菲尔古特;A·毛德;S·福斯;M·格鲁贝尔 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2022-05-26 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本公开提供一种在运行中具有改善的性能并且在功率芯片布置中具有改善的灵活性的半导体器件。该半导体器件包括：绝缘内插器，所述绝缘内插器包括设置于第一上金属层和第二下金属层之间的绝缘层；附接到第一上金属层的至少一个半导体晶体管管芯，所述半导体晶体管管芯包括第一主面和与第一主面相反的第二主面、以及设置于第一主面上并且电连接到绝缘内插器的第一金属层的漏极或集电极焊盘、设置于第二主面上的源极或发射电极焊盘、以及设置于所述第二主面上的栅电极焊盘；连接到所述绝缘内插器的引线框架，所述引线框架包括多个引线，其中，第一引线与所述绝缘内插器的所述第一上金属层连接，第二引线通过至少一个第一电连接器与所述源极电极焊盘连接。
运行具有改善性能并且功率芯片布置灵活性半导体器件

[发明专利]二极管以及制造二极管的方法-CN202110830215.6在审
发明人：曾光;M·豪夫;A·毛德 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2021-07-22 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：单芯片功率二极管包括第一负载端子、第二负载端子和第一负载端子与第二负载端子之间的半导体本体，半导体本体包括阳极区、阴极区和阳极区与阴极区之间的漂移区；有源区，配置成基于阳极区、漂移区和阴极区在负载端子之间传导负载电流，其中半导体本体的厚度由第一负载端子与阳极区之间形成的至少一个第一界面区域与第二负载端子与阴极区之间形成的第二界面区域之间的距离限定；边缘终止区，围绕有源区且由芯片边缘终止。在有源区中包括至少一个无源子区，每个无源子区：具有阻断区域，其具有漂移区厚度的至少20%的最小横向延伸；配置成防止第一负载端子和半导体本体之间的负载电流跨过所述阻断区域；且至少部分地不与边缘终止区邻近布置。
二极管以及制造方法

[发明专利]功率半导体器件的台面接触和生产功率半导体器件的方法-CN202110800288.0在审
发明人： A·毛德;H-J·泰斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2021-07-15 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：功率半导体器件的台面接触和生产功率半导体器件的方法。一种功率半导体器件（1）包括：具有第一导电类型的漂移区（100）的半导体本体（10）；多个沟槽（14），其中两个相邻沟槽（14）横向地限制半导体本体（10）的台面（17）。器件（1）还包括台面（17）中的第二导电类型的半导体本体区（102）；台面（17）中的第一导电类型的源极区（101），源极区（101）被布置在半导体本体区（102）上方；在源极区（101）上方和/或上的绝缘层（300）；接触插塞（111），沿着竖直方向（Z）至少从绝缘层（300）的上表面延伸，从而接触源极区（101）和半导体本体区（102）两者，接触插塞（111）具有均与半导体本体（10）对接的侧壁部分（1111）和底部部分（1112）。
功率半导体器件台面接触生产方法

[发明专利]具有信号分配元件的半导体封装-CN202110608413.8在审
发明人： S·福斯;E·菲尔古特;M·格鲁贝尔;A·许尔内尔;A·毛德 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2021-06-01 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：一种半导体封装，包括：管芯焊盘，管芯焊盘包括管芯附接表面；第一引线，第一引线延伸远离管芯焊盘；一个或多个半导体管芯，一个或多个半导体管芯安装在管芯附接表面上，一个或多个半导体管芯包括第一接合焊盘和第二接合焊盘，第一接合焊盘和第二接合焊盘均背离管芯附接表面；以及分配元件，分配元件在第一引线与一个或多个半导体管芯的第一接合焊盘之间提供用于第一电信号的第一传输路径，并且在第一引线与一个或多个半导体管芯的第二接合焊盘之间提供用于第一电信号的第二传输路径。分配元件包括至少一个一体地形成的电路元件，至少一个一体地形成的电路元件在第一传输路径与第二传输路径之间创建传输特性的差异。
具有信号分配元件半导体封装

[发明专利]反向导通绝缘栅双极晶体管-CN202110286628.2在审
发明人： F·D·普菲尔施;E·格里布尔;V·拉皮杜斯;A·毛德;C·P·桑多;A·韦莱 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2021-03-17 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：公开了反向导通绝缘栅双极晶体管。一种RC IGBT(1)，其在有源区(1‑2)中包括IGBT区段(1‑21)和至少三个二极管区段(1‑22)。二极管区段(1‑22)的布置服从一设计规则。
向导绝缘双极晶体管

[发明专利]MOS栅控功率器件中的短路保护结构-CN202011534044.4在审
发明人：曾光;A·毛德;J·威尔斯 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：公开了MOS栅控功率器件中的短路保护结构。一种单芯片功率半导体器件(1)包括：第一负载端子(11)；第二负载端子(12)；半导体本体(10)，其被集成在单芯片中并且耦合到第一负载端子(11)和第二负载端子(12)，并且被配置为传导沿着所述端子(11，12)之间的负载电流路径的负载电流；控制端子(13)和电连接到控制端子(13)的至少一个控制电极(131)，其中至少一个控制电极(131)与半导体本体(10)电绝缘并且被配置为基于控制端子(13)和第一负载端子(11)之间的控制电压(25)来控制负载电流；保护结构(15)，其被与负载电流路径分离地集成在单芯片中，并且包括多个pn结(153)的利用多个第一导电类型的第一半导体区(151)和多个第二导电类型的第二半导体区(152)的串联连接(155)。pn结(153)的串联连接(155)被以正向偏置连接在控制端子(13)和第一负载端子(11)之间。
mos 功率器件中的短路保护结构

[发明专利]具有完全耗尽的沟道区的功率半导体晶体管-CN202110052644.5在审
发明人： A·毛德;F-J·尼德诺施泰德;C·P·桑多 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2016-10-21 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及具有完全耗尽的沟道区的功率半导体晶体管。一种功率半导体晶体管包括耦合到第一负载端子的半导体主体，该晶体管进一步具有：半导体漂移区，被包括在所述半导体主体中；第一沟槽，沿垂直方向延伸到半导体主体中；第一源区；第一半导体沟道区；第二沟槽，沿所述垂直方向延伸到所述半导体主体中；引导区域，电连接到所述第一负载端子。
具有完全耗尽沟道功率半导体晶体管

[发明专利]具有完全耗尽沟道区域的功率半导体器件-CN202011399400.6在审
发明人： A·毛德;F-J·涅德诺斯塞德;C·P·桑道 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本公开涉及具有完全耗尽沟道区域的功率半导体器件，包括：半导体本体，耦合至第一负载端子结构和第二负载端子结构，并且被配置为传导负载电流；第一单元和第二单元，每一个都被配置用于控制负载电流，并且每一个都在一侧电连接至第一负载端子结构以及在另一侧电连接至半导体本体的漂移区域，漂移区域具有第一导电类型；第一台面，包括在第一单元中，第一台面包括第一端口区域和第一沟道区域，第一端口区域具有第一导电类型且电连接至第一负载端子结构，第一沟道区域耦合至漂移区域；第二台面，包括在第二单元中，第二台面包括第二端口区域和第二沟道区域，第二端口区域具有第二导电类型且电连接至第一负载端子结构，第二沟道区域耦合至漂移区域。
具有完全耗尽沟道区域功率半导体器件

[发明专利]功率半导体器件以及制造方法-CN202010721771.5在审
发明人： F·施特雷布;A·毛德;S·平德尔;H-J·舒尔策 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：公开了功率半导体器件以及制造方法。提出了一种功率半导体器件(100)。功率半导体器件(100)包括半导体衬底(102)。功率半导体器件(100)进一步包括导电的第一层(104)。导电的第一层(104)的至少一部分包括孔(108)。功率半导体器件(100)进一步包括导电的第二层(112)。导电的第二层(112)被布置在半导体衬底(102)和导电的第一层(104)之间。孔(108)被至少部分地填充有相变材料(110)。
功率半导体器件以及制造方法

[发明专利]半导体器件和用于形成半导体器件的方法-CN201710546061.1有效
发明人： A·毛德;F·D·普菲尔施;H-J·舒尔策;P·森;A·威尔梅洛斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-07-06 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：公开了半导体器件和用于形成半导体器件的方法。一种半导体器件包括布置在半导体衬底中的二极管结构的阳极掺杂区域。阳极掺杂区域包括第一传导类型。半导体器件还包括包含第二传导类型的第二传导类型接触掺杂区域。第二传导类型接触掺杂区域布置在半导体衬底的表面处，并且在半导体衬底中被阳极掺杂区域包围。阳极掺杂区域包括埋入式非可耗尽部分。埋入式非可耗尽部分的至少部分在半导体衬底中位于第二传导类型接触掺杂区域下方。
半导体器件用于形成方法

[发明专利]具有完全耗尽的沟道区域的功率半导体器件-CN201710524483.9有效
发明人： A·毛德;F-J·涅德诺斯塞德;C·P·桑道 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本申请涉及具有完全耗尽的沟道区域的功率半导体器件。其包括：半导体主体，耦合到第一和第二负载端子结构并传导负载电流；第一和第二单元，均在一侧上电连接到第一负载端子结构并在另一侧上电连接到半导体主体的漂移区域，漂移区域具有第一导电类型；第一单元中的第一台面，包括具有第一导电类型并且电连接到第一负载端子结构的第一端口区域和耦合到漂移区域的第一沟道区域；第二单元中的第二台面，包括具有第二导电类型并且电连接到第一负载端子结构的第二端口区域和耦合到漂移区域的第二沟道区域；在与相应台面内负载电流的方向垂直的方向上，第一和第二台面中的每一个被绝缘结构在空间上限制，并且在该方向上呈现小于100nm的总延伸。
具有完全耗尽沟道区域功率半导体器件

[发明专利]具有完全耗尽沟道区域的功率半导体器件-CN201710525065.1有效
发明人： A·毛德;F-J·涅德诺斯塞德;C·P·桑道 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本公开涉及具有完全耗尽沟道区域的功率半导体器件，包括：半导体本体，耦合至第一负载端子结构和第二负载端子结构，并且被配置为传导负载电流；第一单元和第二单元，每一个都被配置用于控制负载电流，并且每一个都在一侧电连接至第一负载端子结构以及在另一侧电连接至半导体本体的漂移区域，漂移区域具有第一导电类型；第一台面，包括在第一单元中，第一台面包括第一端口区域和第一沟道区域，第一端口区域具有第一导电类型且电连接至第一负载端子结构，第一沟道区域耦合至漂移区域；第二台面，包括在第二单元中，第二台面包括第二端口区域和第二沟道区域，第二端口区域具有第二导电类型且电连接至第一负载端子结构，第二沟道区域耦合至漂移区域。
具有完全耗尽沟道区域功率半导体器件

[发明专利]使用定向离子束形成电极沟槽和含沟槽电极结构的半导体器件-CN201710516182.1有效
发明人： J·G·拉文;A·毛德;R·拉普;H-J·舒尔策;W·舒斯特德 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-06-29 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本公开涉及使用定向离子束形成电极沟槽和含沟槽电极结构的半导体器件。例如，通过在半导体衬底(500a)的处理表面(101a)上引导具有束发散角(θ)的离子束(690)，在半导体衬底(500a)中形成平行的电极沟槽(150a)。定向离子束(690)的中心轴以倾斜角(α)相对于处理表面(101a)的法线(105)倾斜，其中倾斜角(α)和束发散角(θ)中的至少一个不等于0。半导体衬底(500a)在形成电极沟槽(150a)期间沿着平行于处理表面(101a)的方向移动。导电电极(155)形成在电极沟槽(150a)中，其中电极沟槽(150a)的第一侧壁(151)通过第一倾斜角相对于法线(105)倾斜，第二侧壁(157)通过第二倾斜角相对于法线(105)倾斜，其中
使用定向离子束形成电极沟槽结构半导体器件

[发明专利]用于产生半导体装置的方法-CN201910559552.9在审
发明人： J·魏尔斯;A·伯姆;A·毛德;P·申德勒;S·特根;A·蒂尔克;U·瓦尔 -专利权人：英飞凌科技德累斯顿公司
申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H01L23/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于产生半导体装置的方法，所述方法包括：使用蚀刻工艺部分地去除布置在第一半导体层(120)和第二半导体层(140)之间的支撑层(130)，由此在所述第一半导体层(120)和所述第二半导体层(140)之间形成至少一个底切部；利用具有比所述支撑层(130)高的热导率的第一材料(150)至少部分地填充所述至少一个底切部；以及在所述第二半导体层中或上形成传感器器件(20)。
半导体层底切部支撑层半导体装置传感器器件第一材料蚀刻工艺热导率去除填充

1
2
3
下一页»
尾页
共 37 条