[发明专利]半导体器件制造方法在审
| 申请号： | 201410693479.1 | 申请日： | 2014-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN104392956A | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 周建华 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：提供衬底，在衬底上依次沉积垫氧层和SiN层；对衬底进行浅沟槽隔离工艺以形成浅隔离沟槽；在所述衬底上浅隔离沟槽以外的区域依次沉积垫氧层和氮化硅层；进行SiN回拉工艺；对浅隔离沟槽表面进行垫氧层沉积；对浅隔离沟槽进行氧化硅填充；在衬底的有源区制造CMOS器件。本发明增加了SiN回拉工艺，使得SiN在横向上被刻蚀掉一定厚度，STI的顶部宽度增大，从而可以控制后续SiC选择性外延生长工艺中的嵌壁硅刻蚀工艺对浅沟槽隔离侧壁的硅的损耗，增强SiC外延生长能力，提高SiC半导体工艺制程能力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，在衬底上依次沉积垫氧层和SiN层；对衬底进行浅沟槽隔离工艺以形成浅隔离沟槽；在所述衬底上浅隔离沟槽以外的区域依次沉积垫氧层和氮化硅层；进行SiN回拉工艺；对浅隔离沟槽表面进行垫氧层沉积；对浅隔离沟槽进行氧化硅填充；在衬底的有源区制造CMOS器件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410693479.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种集成化电力电子功率变换控制装置的封装结构
- 下一篇：刻蚀终点检测方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
