[发明专利]一种具有局部背势垒的氮化镓基功率异质结场效应晶体管有效
| 申请号： | 201410679795.3 | 申请日： | 2014-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN104409496A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 杜江锋;潘沛霖;王康;刘东;于奇 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 李明光 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有局部背势垒的氮化镓基功率异质结场效应晶体管，其结构从下至上依次主要由衬底、氮化铝成核缓冲层、铝铟镓氮局部背势垒层、氮化镓沟道层以及铝铟镓氮势垒层组成，在势垒层上形成有源极、漏极和栅极，源极及漏极与势垒层形成欧姆接触，栅极与势垒层形成肖特基接触。本发明通过引入极化强度大于氮化镓沟道层的铝铟镓氮局部背势垒层，使铝铟镓氮背势垒层和氮化镓沟道层界面电荷平衡后剩余负的极化电荷，起到耗尽部分栅漏漂移区沟道的2DEG的效果，构成LDD(low density drain)结构，从而实现调制沟道的电场分布以提升器件耐压能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 局部 背势垒 氮化 功率 异质结 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种具有局部背势垒的氮化镓基功率异质结场效应晶体管，从下至上依次主要为衬底(101)，氮化铝成核缓冲层(102)，氮化镓沟道层(103)，铝铟镓氮势垒层(104)，在铝铟镓氮势垒层(104)上形成有源极(105)、漏极(106)和栅极(107)，源极(105)及漏极(106)均与铝铟镓氮势垒层(104)成欧姆接触，栅极(107)与铝铟镓氮势垒层(104)成肖特基接触，在铝铟镓氮势垒层(104)内设有铝铟镓氮局部背势垒层(201)，所述铝铟镓氮局部背势垒层(201)的下表面与氮化铝成核缓冲层(102)的上表面直接接触，在其特征在于，所述局部背势垒层(201)在横向上位于栅极(107)和漏极(106)之间的区域内。
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