[发明专利]用于制造竖直半导体器件的方法和竖直半导体器件

摘要

生产竖直半导体器件，包括：提供半导体晶片，其包括第一导电类型的第一半导体层、与第一半导体层形成第一pn结的第二导电类型的第二半导体层以及与第二半导体层形成第二pn结并且延伸到晶片的主表面的第一导电类型的第三半导体层；在主表面上形成硬掩模，该硬掩模包括通过第一开口彼此间隔开的硬掩模部分；使用硬掩模蚀刻从主表面到第一层中的深沟槽，使得在主表面处由相应硬掩模部分覆盖的台面区域被形成在毗邻沟槽之间；填充沟槽和硬掩模的第一开口；以及蚀刻硬掩模以在台面的主表面处的硬掩模中形成第二开口。

主权项

一种用于生产竖直半导体器件的方法，所述方法包括：—提供半导体晶片，所述半导体晶片包括第一导电类型的第一半导体层、与所述第一半导体层形成第一pn结的第二导电类型的第二半导体层、以及与所述第二半导体层形成第二pn结并且延伸到所述半导体晶片的主表面的所述第一导电类型的第三半导体层；—在所述主表面上形成硬掩模，所述硬掩模包括通过第一开口彼此间隔开的硬掩模部分；—使用所述硬掩模从所述主表面向所述第一半导体层中蚀刻深沟槽，使得在所述主表面处由所述硬掩模部分的相应部分覆盖的半导体台面被形成在所述深沟槽的毗邻沟槽之间；—填充所述深沟槽和所述硬掩模的所述第一开口；以及—蚀刻所述硬掩模以在所述半导体台面的所述主表面处的所述硬掩模中形成第二开口。