[发明专利]一种斜场板功率器件及斜场板功率器件的制备方法在审
| 申请号： | 201410440179.2 | 申请日： | 2014-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN104332498A | 公开（公告）日： | 2015-02-04 |
| 发明（设计）人： | 李元;裴轶;刘飞航 | 申请（专利权）人： | 苏州捷芯威半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/40;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 路凯;胡彬 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种斜场板功率器件及斜场板功率器件的制备方法，所述器件包括衬底，位于衬底上的多层半导体层，位于多层半导体层上的源极、漏极以及位于源极和漏极之间的栅极；位于栅极上和栅极与源极和漏极之间的多层半导体层上的介质层，所述介质层上存在凹槽，所述凹槽的侧面具有倾斜度，位于凹槽内壁上的斜场板结构。本发明使得功率器件表面不再产生明显的高尖峰电场，消除了易击穿区域，提高了功率器件整体的耐压性并改善了功率器件的高频特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 斜场板 功率 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种斜场板功率器件，其特征在于，所述器件包括衬底；位于所述衬底上的多层半导体层；位于所述多层半导体层上的源极、漏极以及位于源极和漏极之间的栅极；位于所述栅极上和栅极与源极之间、栅极与漏极之间的多层半导体层上的介质层；位于所述栅极与漏极之间的介质层上的凹槽，所述凹槽的侧面具有倾斜度；位于所述凹槽内壁上的斜场板结构。
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