[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子装置有效
| 申请号： | 201410220002.1 | 申请日： | 2014-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN105097469B | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 禹国宾 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/51 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成高k介电层；实施退火使高k介电层晶态化，以增大高k介电层的介电常数；回蚀刻高k介电层，以使高k介电层的厚度满足预设的目标特征尺寸；在经过所述回蚀刻的高k介电层上形成牺牲栅电极层，以在半导体衬底上形成伪栅极结构；去除伪栅极结构中的牺牲栅电极层，并在留下的栅沟槽内形成金属栅极结构。根据本发明，可以增大高k介电层的介电常数，以使高k介电层满足等效栅极介电层厚度按比例减小的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成高k介电层；实施退火使所述高k介电层晶态化，以增大所述高k介电层的介电常数，从而使所述高k介电层满足所述半导体器件的栅极的等效栅极介电层厚度按比例减小的要求；回蚀刻所述高k介电层，以使所述高k介电层的厚度满足预设的目标特征尺寸；在经过所述回蚀刻的高k介电层上形成牺牲栅电极层，以在所述半导体衬底上形成伪栅极结构；去除所述伪栅极结构中的牺牲栅电极层，并在留下的栅沟槽内形成金属栅极结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
