[发明专利]一种新型功率器件结构在审
| 申请号： | 201410216641.0 | 申请日： | 2014-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN105097925A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 徐帆;花银东;蒋乐乐 | 申请（专利权）人： | 上海北京大学微电子研究院 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种新的SOI LDMOS器件结构，该结构包括半导体衬底层，介质埋层，顶层硅以及场氧层。其中介质埋层采用低K介质材料，顶层硅中漂移区采用分区梯级掺杂，漂移区上表面淀积场氧层，器件栅、漏级采用场板技术。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 功率 器件 结构 | ||
【主权项】：
一种新的绝缘体上硅横向双扩散金属氧化物半导体场效应管（SOI LDMOS）结构，包括埋氧层，漂移区以及位于漂移区上表面的场氧层，其特征在于，埋氧层采用低K介质材料，漂移区采用梯级掺杂，场氧层的厚度于埋氧层厚度近似。
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